你好!欢迎来到 !
语言
当前位置: 首页>> 品牌中心>> 首页
内容列表
2022-06意法半导体新惯性传感器模块-ISM330ISN

意法半导体推出了内置智能传感器处理单元 (ISPU) 的新惯性传感器,推动onlife (一直在线)生活时代的到来,人们与经过训练的智能设备互动,智能技术从网络边缘移向深度边缘设备。ISM330ISN常开 (always-on) 6 轴惯性测量单元 (IMU)传感器内部嵌入智能技术,就尺寸和功耗而言,其测量性能和精准度堪称业界一流。[详细]


2022-06意法半导体 45W 和 150W MasterGaN

为了便于向高效宽带隙技术的过渡,意法半导体发布了分别适用于高达 45W 和 150W 的应用的 MasterGaN3 和 MasterGaN5 集成功率封装。加入面向 65W 至 400W 应用的 MasterGaN1、MasterGaN2 和 MasterGaN4,这些新增产品为设计开关电源、充电器、适配器、高压功率因数校正时选择最佳 GaN 器件和驱动器解决方案提供[详细]


2022-06ST代理商:ST意法半导体TCPP02-M18应用于USB-C充电器

TCPP02-M18保护供电模式下的USB Type-C端口,防止VBUS引脚上的过电流和通信通道(CC线路)上的过电压(最高24 V)。它是运行在STM32 MCU上的USB-C平台的配套芯片,包括微控制器可访问的电流检测机制,以实现更出色的应用控制。TCPP02-M18是Type-C端口保护(TCPP),面向源端(供电)的器件,不像TCPP01-M12保护[详细]


2022-06意法半导体MasterGaN4器件

意法半导体的MasterGaN4功率封装集成了两个具有225mΩRDS(on)的对称650V GaN功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护,可简化高达200W的高效功率转换应用的设计。意法半导体的MasterGaN系列的最新成员,MasterGaN4消除了复杂的栅极控制和电路布局挑战,从而简化了使用宽带隙GaN功率半导体的设计。通过输入[详细]


2022-06意法半导体全局快门图像传感器,提高汽车安全性

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 发布了新一代驾驶员监控系统(DMS)全局快门图像传感器,助力车企提高汽车安全性。驾驶员监控系统DMS持续监测驾驶员的头部运动,识别困倦和分心迹象,使汽车系统能够生成警告提示,保护乘员的安全[详细]


2022-06意法半导体低压专用栅极驱动器IC

意法半导体推出一款75V以下低压工业应用高集成度三相半桥驱动器IC,这是一个节省空间、节能高效的电机控制解决方案,适用于控制电动自行车、电动工具、泵、风扇、轻型机械、游戏机和其他设备内的三相无刷电机。STDRIVE101内置三个用于驱动外部N沟道MOSFET的半桥驱动器,每个驱动器的最大拉电流和灌电流都是600m[详细]


2022-06意法半导体Bluetooth?5.2认证系统芯片

意法半导体的第三代Bluetooth系统芯片BlueNRG-LP是世界上第一个支持同时连接多达128个节点的Bluetooth LE 5.2认证系统芯片,可以让用户无缝、低延迟监控大量的连接设备,例如,通过时尚直观的手机应用界面控制各种设备。 最高可设为+ 8dBm的射频输出功率,配合高达-104dBm的接收灵敏度,现在BlueNRG-LP 射[详细]


2022-06意法半导体新STM32G0微控制器

意法半导体 STM32G0* 系列Arm? Cortex?-M0+ 微控制器 (MCU)新增多款产品和更多新功能,例如,双区闪存、CAN FD接口和无晶振USB全速数据/主机支持功能。对于注重预算的应用新的 STM32G050 超值产品线、STM32G051 和 STM32G061 主流产品线增加了丰富的模拟功能和最大容量18KB 的 RAM存储器,[详细]


2022-06意法半导体推出新的数字电源控制器

意法半导体数字电源控制器系列产品新增一款用于双通道交错式升压PFC拓扑的电源 IC STNRGPF02。客户可以使用eDesignSuite软件轻松配置这款IC。这款软件还有助于客户快速完成电路设计和外部元器件的选择。STNRGPF02让600W至6kW的应用也可以享受数字电源带来的优势,例如,与典型模拟控制方法相比,ST解决方案的灵[详细]


2022-06意法半导体通用汽车门锁控制IC

意法半导体推出了一款通用的汽车门锁控制IC,名为L99UDL01,包含六个MOSFET(功率场效应晶体管)半桥输出芯片和两个半桥门驱动器,以及保护和诊断功能,旨在提高安全性、简化设计并节省空间。作为一项完整的、集中的、通过车身控制模块(BCM)进行控制的门锁电子控制解决方案,L99UDL01取代了多个单独的电机驱动[详细]


2022-06意法半导体推出全新MDmesh MOSFET

意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低,可以极大程度提高功率密度,并有助于缩减系统尺[详细]


2022-06ST意法半导体AMOLED电源管理芯片提升便携式设备的视觉体验和电池续航时间

意法半导体为AMOLED 显示器新开发的高集成度电源管理芯片 (PMIC)兼备低静态电流和高灵活性,可延长便携式设备的电池续航时间。STMP30PMIC的输入电压范围是2.9V至4.8V,内置三个DC-DC变换器,为智能手机和其他便携式设备的AMOLED显示屏提供所需的全部电源轨。550mA VOUT1升压变换器的输出电压是可调的,不同于把[详细]


2022-06ST意法半导体助力“碳中和”目标,智能电网迎来空前发展机遇

全球各国在陆续实现“碳达峰”目标之后,相继发布了本国实现“碳中和”的具体时间规划,勾画出一个“无碳未来”的美好蓝图。在净零排放不断被写入各国法律的情况下,减小能源损耗,提升系统效率已经成为各行业的头等大事。在政策红利下,智能电网迎来历史性的发展机遇。预计到2024年,全球智能电网的市场规模将[详细]


2022-06ST Teseo III平台和移远通信助力5G基站建设

全球领先的蜂窝通信模组和GNSS定位模组供应商移远通信正式推出两款纳秒级高精度GNSS授时模组L26-T和LC98S。这两款模组均采用意法半导体的Teseo Ⅲ平台研发,支持全星座卫星信号接收,可以为全球通信基站、金融服务、电力系统、铁路调度等行业应用提供精密授时服务。时间在我们的日常生活中扮演着重要的角色。“[详细]


2022-06ST意法半导体全新紧凑型SLLIMM大功率IPM提高电机驱动设计的集成度和功率

新推出的SLLIMM大功率产品简化了设计,节省了电机驱动平台(最高5 kW)的物料成本。STGIK50CH65T是最新推出的紧凑型大功率双列直插式智能功率模块(IPM),属于SLLIMM(小型低损耗智能模封模块) High Power 系列。新推出的SLLIMM HP 650 V/50 A产品在设计时采用全新内部驱动器配置(具有沟槽栅场截止IGBT, 加上一个[详细]


2022-06意法半导体智能传感器处理单元促进Onlife 时代的来临

服务多重电子应用领域、全球排名前列的微机电系统 (MEMS)制造商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)近日宣布推出智能传感器处理单元 (ISPU)。新产品在同一颗芯片上集成适合运行 AI 算法的数字信号处理器 (DSP)和 MEMS 传感器。 与系统级封装产品相比,除尺寸更小,功耗降低多达 80%外 ,传感器和人工智[详细]


2022-06意法半导体TMOS传感器

意法半导体(简称:ST)推出基于红外信号的TMOS(温度感应半导体金属氧化物)人体存在检测传感器,助力智能产品实现性能和功能新飞跃。传统的红外热释电传感器,相信大家已经很熟悉了,热释电传感器通过检测人体移动发出的红外线变化来判断是否有人体存在。但是传统热释电红外传感器由于工作原理限制,无法对恒[详细]


2022-06ST意法半导体首发PowerGaN功率半导体新系列,加速释放氮化镓技术潜能

基于氮化镓 (GaN) 的产品可以取得更高的能效,帮助工程师设计出更紧凑的电源,适合各种消费、工业和汽车应用意法半导体PowerGaN系列第一款产品现已投产;很快还将推出其他的不同封装和规格的产品意法半导体(简称ST)推出了一个新系列——氮化镓(GaN)功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER产品组合,能[详细]


2022-06意法半导体利用机器学习实现高精度MEMS倾角仪

工业自动化的加速落地,让倾斜感测找到了丰富的应用场景。但设计倾斜感测应用很有挑战性,尤其是在温度范围变化大的情况下实现高精度需求更是难上加难。IIS2ICLX是一款独特的高精度MEMS倾角仪,能够通过机器学习核心(MLC)进行观察、思考和行动。MLC是在传感器上运行AI算法algorithms on sensors的有效方式,可[详细]


2022-06ST意法半导体 600-650V MDmesh DM9 超结快速恢复功率MOSFET提高了效率和稳健性

新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr),以及出色的品质因数(RDS(on)x Qg),能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平,适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广[详细]


共 1347 条记录 5/68 页 首页 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 下一页 尾页
联系方式

0755-82591179

传真:0755-82591176

邮箱:vicky@yingtexin.net

地址:深圳市龙华区民治街道民治大道973万众润丰创业园A栋2楼A08

Copyright ? 2014-2023 All Rights Reserved.粤ICP备14043402号-4

Baidu
map