MSP430---FLASH 读写
MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段，其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节，其他段有512字节。SegmentB的地址是：0x01000h到0x107F，SegmentA的地址是：0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根据容量不同，从0xFFFFh开始，每512字节为一段进行分配。
FLASH存储器写入数据时，每一位只能由“1”变成“0”，不能由“0”变成“1“，因此，当我们有数据要保存到FLASH存储器时，要先对目标段进行整段擦除操作，擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序，配置好必要的寄存器后，向段中任意地址写入数据，及擦除一段。
void flash_clr(int *ptr)
{
_DINT(); //关中断
FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 开锁
FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除
*((int *) ptr) = 0; //* 擦除段
}
FLASH存储器可以按字节写入，也可以按字写入。
// 字节写入
void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)
{
_DINT();
FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 开锁
FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能写入
*((int8_t *) ptr) = value; // 写入数据
}
// 字写入
void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value)
{
_DINT();
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */
*((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */
}
FLASH存储器可以连续写入
// 按字节写入指定的数量的数据
void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)
{
_DINT();
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */
while (len)
{
*ptr++ = *from++;
len--;
}
}
在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中，例如：
typedef struct Setup
{
float gain_ch0; // 0通道增益
float gain_ch1; // 1通道增益
float gain_ch2; // 2通道增益
…
char init_flag; //初始化标记，恒为0xAA;
}SETUP;
我们定义了一个SETUP结构，存放三个AD通道的增益，以及其他要掉电保存的信息，init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化，当我们设置了FLASH参数后，将init_flag置一个固定值，例如设为0xAAh，在程序开始运行时，检查init_flag，当init_flag的值为0xAAh时，表明参数已被初始化。
使用FLASH参数：在程序中定义一个SETUP类型的指针变量，通过这个指针访问FLASH中的参数。例如：
#define SegmentA 0x1080
float temp;
SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA
if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)
{
temp = p_setup_flash->gain_ch0;
}
修改FLASH信息：由于FLASH不能象RAM一样直接修改，可以将FLASH信息拷贝到RAM中，修改相应参数后，重新保存到FLASH存储器中，之前要先擦除FLASH存储区。例如：
SETUP *p_setup;
SETUP buf; // 临时变量
p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH
memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷贝到RAM
p_setup = &buf; // 指向RAM
p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数
flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷贝到FLASH
扩展阅读：单片机的ROM与RAM
编辑：admin 最后修改时间：2018-05-19
