三星、东芝及Intel 3D NAND闪存对比分析
NAND 闪存即将步入3D时代，目前3D NAND闪存生产厂商三星、东芝和SanDisk与Intel和美光的3D NAND闪存各有什么样的特点呢？
三星是最早采用3D NAND(V-NAND)闪存的SSD，东芝和SanDisk的48层3D NAND闪存也在昨天开始向合作伙伴提供样品，Intel和美光算是后来居上，2014年11月才公布了他们的产品，近日他们公开了更多资料，我们可以看看他们的新闪存与竞争对手有什么不同之处。
之前我们已经知道，Intel和美光首先会推出32层256Gb/32GB MLC版本，改成TLC的话容量更是可以进一步达到384Gb/48GB，2mm厚度就能塞下1TB的容量了，而终极目标是推出10+TB的SSD。
根据AnandTech分享的资料，为了提高容量密度，他们的这款3D NAND闪存每die内部将会使用4-plane(闪存片)的设计，虽然会带来额外的延时，但同时也提供了比目前常见的2-plane设计闪存高1倍的读写吞吐量。
Intel和美光表示，他们的3D NAND的电荷存储量和当年50nm节点产品相当，甚至稍微还要多些，是目前16nm节点的10倍，性能和可靠性都得到了保证。
传统SSD闪存使用浮栅极MOSFET存储电荷，晶体管的瑕疵会引起栅极与沟道之间短路，消耗栅极中的电荷，也就是说每次写入都会消耗栅极的寿命，一旦消耗完了这一个cell单元也就挂了，而之前三星的V-NAND的解决办法是改用电荷撷取闪存设计，电荷存储在绝缘层上而非导体上，理论上就不会消耗这些电荷了。
不过随后经过证实，Intel和美光并没有和三星、东芝和SanDisk一样使用新的电荷存储技术，而是沿用传统的浮栅极，做这个决定的理由是这项技术比较成熟，而新技术还未经过时间的考验，不能说新的一定比旧的好。
容量密度问题得到了有效的解决，就无需再冒险使用更高级的制程工艺提高晶体管密度了，不过Intel和美光并没有透露他们的3D NAND采用何种制程工艺，AnandTech猜测会在35-50nm之间(三星850 Pro用的是40nm，下一代会用30nm级别)。
至于耐用性方面，美光表示他们初期会将寿命定为3000次刷写周期，大家可能觉得奇怪了，这不是跟目前的MLC闪存差不多么，人家三星V-NAND都高达35000次了。美光的说法是其实他们的消费级闪存都定在3000次，足够普通用户日常使用了，但这不代表是他们偷工减料，他们对自己的产品有信心。往后他们应该还会继续改进设计，提高到10000+次也是有可能的(尤其是企业级闪存)。
然后关于Intel和美光的3D NAND的结构，这次也终于被公布出来了，没错就是上面这张图，AnandTech表示和他们对接的Intel/美光工程师都不太能理解这个结构图示，应该是一个cell的内部组成，描述每die之间以及与通道的连接方式，具体还是等以后官方公布吧。
最后说一下，我们对Intel和美光的3D NAND已经有了一个初步的了解，但还是需要等他们公布更多的细节以确认它和竞争对手同类技术的区别。另外他们现在已经向部分合作伙伴发放测试样品，接下来会在今年上半年开始量产，首批产品应该会在明年上半年上市。
编辑：admin 最后修改时间：2017-08-19
