NAND芯片需求旺，SK海力士将建厂扩产
日经新闻报导，SK海力士将在2025年以前打造一座新的内存芯片厂，加入由数据中心与个人计算机半导体需求成长所驱动的投资竞赛。
海力士周一宣布计划投资15.5兆韩元（125亿美元）在南韩忠清北道清州厂旁，兴建这一座内存芯片新厂。该公司已经取得25万平方公尺的用地，并已和清州市政府交换备忘录。知情人士透露，海力士的新厂将于2018年动工兴建，并于2019年起分阶段投入生产。海力士尚未决定该厂负责的确切项目，但一名公司高层表示，新厂可能生产NAND闪存芯片。该厂若完全投入NAND芯片的生产，将使得海力士的此类芯片总产能由目前的每月22万片晶圆扩大将近1倍。
此外，海力士亦宣布已开始在现有的清州厂量产先进的3D NAND芯片，将于4月初开始出货。其同业三星电子在2013年率先完成3D NAND芯片的商用化，而日本东芝公司则计划在本月开始出货此类芯片。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-22
