半导体业者大布局 2020年大陆Flash月产能激增
中国大陆业者在NAND Flash产业链的相关布局与投资不断开展，成为大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。有调研机构报告显示，随着紫光国芯（原同方国芯）投资、武汉新芯扩厂，及国际厂如三星、英特尔增加产能，预估2020年中国国内Flash月产能达59万片，相较于2015年成长近7倍。
TrendForce旗下拓墣产业研究所预估，2012至2016年NAND Flash生产端年平均位成长率达47%，其终端消费端需求年平均位成长率亦高达46%，显示NAND Flash仍为高速发展产业。拓墣研究经理林建宏表示，大陆在突破内存自制缺口的政策方针下发展Flash晶圆制造，可由NAND Flash产品特性、3D NAND需求、新兴市场的成长空间，及国际半导体大厂在中国大陆投资四大方向切入。
NAND Flash产品特性部分（资金成本）：产品在消费性应用下，价格是主要考虑，因此生产成本的控制至为关键。大陆厂商宜透过折旧认列年限调整、租赁、税负与资金成本等因素操作为切入点。
3D NAND需求（制程微缩）：Flash在进入2x奈米后，制程微缩带来的成本优势越来越不明显，推迟国际Flash大厂技术进程，因此3D-NAND Flash成为成本继续降低的重要方法。林建宏指出，产品由2D走到3D，需有新的技术领域加入，若能整合跨领域人才和技术，能成为中国厂商追赶的机会。
新兴市场成长空间：虽然Flash产业短期仍处于供过于求，但长期而言新兴市场仍有成长空间。大陆随一带一路政策发展的策略，对开发其周遭新兴市场需求有相当帮助，妥善安排资源与发挥对新兴国家的影响力，将是大陆独有的优势所在。
半导体大厂在中国大陆投资（人力与市场）：国际半导体厂商积极投入大陆，在当地培养有经验和技术的人才，支持厂房运维的高度需求，有助降低大陆发展自主Flash制造的门坎。大陆透过广大的人力和市场成功吸引国际厂商的进驻，为大陆发展Flash产业带来最好机会。
编辑：admin 最后修改时间：2017-12-13
