内存血战才揭开序幕？三星库存塞爆创同季历史新高
先前外资痛批三星电子不顾同行道义，在内存业赶尽杀绝。如今背后原因似乎揭晓，韩媒指出，今年第一季三星电子和SK海力士（SK Hynix）的半导体库存双双创下新高，满坑满谷的内存卖不动，三星或许因此杀红了眼。
BusinessKorea 18日报导，今年Q1季末，三星电子的半导体库存达7.4万亿韩元，写下同季历史新高。SK海力士的半导体库存为2.2万亿韩元，更创下该公司史上之最。一般而言，企业都赶在新年之前尽量消化库存，Q4应是出货旺季，不料内存买气从2015年开始急冻，2015年Q4库存增加速度之快，几乎前所未见。
三星半导体库存连年提高，近来更急速成长。2012年半导体库存约为4万亿韩元，2015年增至6~7万亿韩元，今年Q1更超越7万亿韩元。和2015年同期相比，今年Q1库存飙升了1.7万亿韩元。主要原因应是内存买气骤减，Q1三星内存部门营收年减3,700亿韩元。
与此同时，2015年SK海力士的库存大都在1.5万亿韩元以下，不料2015年年底突然暴增至1.9万亿韩元，今年Q1又一举突破2万亿韩元。SK海力士的库存资产占总资产比重一路攀升，2014年来从5.6%升至6.5%，再增至7.4%。库存爆满，问题是内存前景欠佳，需求仍淡，业者可能会启动更激烈的杀价战，出清库存。
内存业凄惨，又有新技术出来抢市场，前景更为黯淡。Phone Arena、Engadget 17日报导，“相变化内存”（Phase-Change Memory，简称PCM）因成本太高，智能机等移动设备无法采纳，过去15年来一直应用在光盘片等科技产品。然而，IBM现在不但降低了成本，还想出新的方法，可在每个记忆单位（cell）中储存3位资讯、即使周遭温度较高也毫无障碍，未来可能会让内存领域出现巨变。
IBM Research 17日在巴黎举办的IEEE国际内存研讨会（International Memory Workshop）上表示，新开发的技术可降低PCM成本，价格不但能与快闪内存竞争，还会比DRAM更便宜。
（备注：10000韩元=55元人民币）
编辑：admin 最后修改时间：2017-12-13
