内存需求回春，SK 海力士净利仍大减 74%
中国台湾地区南亚科、华邦电等内存厂将在本周召开法说，而韩国内存大厂SK海力士今26日先行登场，或能做为内存产业重要风向球。从SK海力士情况来看，DRAM与NAND Flash需求都有回升之势，但平均销售价格似乎还未能见起色。
SK海力士今26日公布财年第二季财报，SK海力士第二季营收3.94兆韩元，在需求回稳产品出货优于预期下季增8%，对比去年同期营收则衰退15%，但平均销售价格有所下滑，营业利润4,530亿，季减19%、年减67%比砍半还惨，受到汇损等影响，净利2,860亿，季减36%、年减高达74%。
（Source：SK Hynix）
内存需求回春，但在平均单价降低与汇兑损失下，未能反映在获利表现。SK海力士指出，DRAM与NAND Flash位出货量都有所成长。受到智能手机需求强劲以及电脑内存复苏之下，DRAM位成长18%，但平均销售单价（ASP）却也减了11%。NAND Flash在智能手机嵌入式内存、SSD等需求持续成长下，位成长率大增52%，平均销售单价因产品价格下降与TLC产品单价较低，同样减少11%。
NAND Flash与DRAM占营收比重也出现明显消长，DRAM在第一季占SK海力士营收76%，到了第二季减少5%至71%，而NAND Flash占营收比重则成长了5%至26%。
（Source：SK Hynix）
SK海力士强调将扩大在2Z纳米DRAM产品线以反应后续的需求，2Z纳米不只运用于公司PC DRAM出货，也适用于移动DRAM，官方预计将增加DDR4与LPDDR4的出货，估计在2016年末出货占比将来到总DRAM出货量的40%，而平面NAND Flash将推进到1Y纳米制程，业界正在竞逐的3DNAND Flash竞赛，SK海力士36层堆叠产品已经开始出货，48层堆叠的3D NAND Flash也将于今年下半问世。
展望第三季，官方预估，在几家智能手机主要客户推出新机下，需求将大幅成长，第三季有望有较佳的表现，第三季DRAM出货量估计能有高个位数成长，NANDFlash更能略高于10%，
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-22
