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内存 Q4 需求旺,三星、SK 海力士有望受惠

作者:admin 来源:不详 发布时间:2018-01-05 浏览:1

笔电用内存需求动能强劲,甚至于NAND闪存已呈现缺货,让业界看好第四季DRAM与NAND闪存报价将大幅走扬,韩国三星与SK海力士有望受惠。

市调机构DRAMeXchange指出,个人电脑用DRAM合约价9月报14.5美元,上涨7.4个百分点,且拜全球笔电需求超出预期所赐,DRAMeXchange看好DRAM第四季报价将冲到两年新高。(koreaherald.com)

NAND闪存在此同时已有供给不足的状况,据DRAMeXchange预测,第四季嵌入式多晶片封装(eMCP)产品价格将上扬10-15%。eMCP可将NAND内存与其他芯片做整合。

据传,三星发展64层NAND闪存今年底将进入量产,其位在首尔南方70公里处的平泽厂(Pyeongtaek)已接近完工阶段,将成为扩充NAND闪存产能的即战力。另外,海力士也正积极扩充NAND产能,其股价6日早盘一度来到2015年7月以来新高。



编辑:admin 最后修改时间:2018-01-05

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