内存缺货 打乱科技厂布局
今年以来DRAM及NAND Flash严重缺货，价格涨不停，智能手机及笔电基于成本考虑，传出不再提高搭载容量消息。实际上，智能手机厂过去几年将搭载高容量DRAM及NAND Flash作为销售题材，但今年价格大涨使成本比重垫高，手机搭载容量不再提升，改口力推高分辨率面板及双镜头。笔电厂则要消费者自己买DRAM模块或SSD来安装。
由于智能手机及笔电的功能日益强大，对DRAM及NAND Flash的搭载容量需求自然水涨船高。不过，内存市场自去年下半年以来就面临供给吃紧压力，今年价格更是大涨，包括4GB DDR3/ DDR4模块合约价在第一季涨至25美元左右，季度涨幅超过3成；另行动用8Gb LPDDR3价格也涨至5.5～6.0美元之间，季度涨幅逾1成。
NAND Flash市场以TLC规格芯片缺货最严重，采用TLC规格NAND Flash的手机用32GB eMMC内存模块第一季价格已冲上10美元，采用TLC规格NAND Flash的120GB固态硬盘（SSD）站上45美元，平均涨幅同样超过10％。
面对DRAM、NAND Flash双涨，手机厂及笔电厂面临严重成本上升压力。以智能手机厂来说，过去几年都以搭载高容量DRAM及NAND Flash来做促销手法，但今年包括OPPO、Vivo等手机厂只维持Mobile DRAM搭载量在3～4GB，没有如预期般提升到6GB，NAND Flash搭载也控制在64GB为主流，128GB以上高容量只有旗舰机型才有。
手机厂今年主打促销转向强调搭载高分辨率面板，或是采用与苹果、三星同等级的AMOLED面板，再来就是强调双镜头的摄影功能。业者坦言，内存价格涨上来后，占整机成本比重已超过1成，成本上吃不消，只好停止内存的容量升级，将规格升级放在高分辨率面板及千万画素以下双镜头的部分。
笔电厂也面临内存成本过高压力。OEM业者表示，搭载英特尔最新Kaby Lake处理器及微软Windows 10的笔电，原本应该要提高SSD容量至250GB以上，并搭载8GB DRAM模块，但在成本过高下只好维持原本的120/128GB SSD及4GB DRAM的搭载，消费者若要提高规格，就请消费者自己买DRAM或SSD来自行安装。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
