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三星再添平泽厂生力军 NAND Flash目标市占率40%

作者:admin 来源:不详 发布时间:2018-01-05 浏览:9

三星电子(Samsung Electronics)平泽半导体厂日前举行量产出货仪式,正式宣告投入三星NAND Flash量产行列。三星为全球NAND Flash龙头,市占率为37%。南韩业界预估平泽厂加入生产后,三星NAND Flash全球市占率突破40%大关只是时间早晚问题。



据韩媒the bell报导,三星以全球45%的DRAM市占率排名第一,虽然NAND Flash市占率也是第一,但市占率迟迟无法与竞争对手拉大差距,因此三星有意透过扩产投资,拉大差距守稳第一。

三星相关人士表示,正式投产出货的平泽半导体厂,将以量产堆栈64层3D NAND Flash为主。一般而言,3D NAND Flash堆栈层数愈高,代表产能与获利提升。

三星竞争对手东芝(Toshiba)等,已量产堆栈48层3D NAND Flash。相较堆栈48层3D NAND Flash,三星64层3D NAND Flash读写速度快50%,耗电效率提升30%。然随着3D NAND Flash堆栈层数变多可能造成结构不稳,因此业界多认为,3D NAND Flash堆栈层数有一定的物理极限。

业界人士观察,继DRAM独霸天下,牢牢站稳市场领导地位后,三星有意凭借技术与产能优势,守稳NAND Flash第一王座,因此大手笔投资平泽厂15.6兆韩元(约137亿美元)。

三星平泽一楼厂区,每月晶圆投片量约10万片,三星计划再投资14.4兆韩元,扩充二楼厂区产能。因此,三星NAND Flash产能将从过去45万片,一路向上提升至65万片。另外三星可能于2017年底前,宣布堆栈96层3D NAND Flash量产。

由于IT装置不断朝轻薄短小发展,内存储存单元(cell)垂直堆栈,可望省下不少平面空间容纳其他零组件,使装置具有更多样化功能,因此3D NAND Flash市场需求看俏。南韩业界认为,由于NAND Flash市场需求旺盛,就算三星平泽厂加入生产行列,可能也无法完全满足市场需求。

IHS Markit指出,2017年NAND Flash全球市场规模约506亿美元,相较2016年成长38%。2016年三星NAND Flash营收约15.8兆韩元,预估2017年营收上看24.4兆韩元,年成长率达54%。

三星已是全球NAND Flash龙头,如今再添平泽厂生力军,预料将能顺利拉大与竞争对手差距,朝向全球NAND Flash市占率40%目标迈进。如以2017年第1季为例,三星NAND Flash市占率37%,紧接在后的东芝为17%。

事实上,三星潜在隐忧也包括半导体产业快速崛起。例如,清华紫光正大举投资半导体,计划于武汉、成都、南京等地设立半导体厂,武汉内存厂预计2018年开始量产3D NAND Flash。

三星加速展开NAND Flash投资,其实也是为了与国内业者保持一定程度领先差距,维持市场主导地位。南韩业界人士表示,平泽厂投入运转后,三星NAND Flash市占率突破40%只是时间早晚问题,加上透过技术不断提升,2017年三星半导体事业营业利益上看30兆韩元。

编辑:admin 最后修改时间:2018-01-05

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