NOR FLASH的结构和特性
NOR FLASH的结构原理图图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的，当某个Word Line被选中后，就可以实现对该Word的读取，也就是可以实现位读取（即Random Ａccess），且具有较高的读取速率，图2是一个3*8bit的NOR FLASH的原理结构图，图3是沿Bit Line切面的剖面图，展示了NOR FLASH的硅切面示意图，这种并联结构决定了NOR FLASH的很多特性。
（图一）
（图二）
（1）基本存储单元的并联结构决定了金属导线占用很大的面积，因此NORFLASH的存储密度较低，无法适用于需要大容量存储的应用场合，即适用于code-storage，不适用于data-storage,见图3
（2）基本存储单元的并联结构决定了NOR FLASH具有存储单元可独立寻址且读取效率高的特性，因此适用于code-storage，且程序可以直接在NOR 中运行（即具有RAM的特性）。
（3）NOR FLASH写入采用了热电子注入方式，效率较低，因此NOR写入速率较低，不适用于频繁擦除/写入场合。
（图三）
最后来个小贴士：NOR FLASH的中的N是NOT，含义是Floating Gate中有电荷时，读出‘0’，无电荷时读出‘1’，是一种‘非’的逻辑；OR的含义是同一个Bit Line下的各个基本存储单元是并联的，是一种‘或’的逻辑，这就是NOR 的由来。
编辑：simon 最后修改时间：2019-09-17
