SLC NAND FLASH 常用型号
关键字：SLC NAND FLASH 常用型号 持续跟新NAND闪存可分为三大架构，分别是单层式储存（Single Level Cell），即SLC；多层式储存（Multi Level Cell），即MLC；多位式存储（Multi Bit Cell），即MBC。SLC技术与 EEPROM原理类似，只是在浮置闸极（Floating gate）与源极（Source gate）之中的氧化薄膜更薄，其数据的写入是透过对浮置闸极的电荷加电压，然后可以透过源极，即可将所储存的电荷消除，采用这样的方式便可储存每1个信 息位，这种技术的单一位方式能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于低硅效率的问题，必须由较先进的流程强化技术才能向上提升SLC制程技术，单片 容量目前已经很难再有大的突破，似乎已经发展到了尽头。目前生产SLC NAND FLASH 的厂家主要有samsung sk hynix Toshiba CYPRESS WINBOND 旺宏等厂家。容量包括1Gb 2Gb 4Gb。常用型号是：（持续更新中）K9F1G08U0F-SCB0 SLC 1GbK9F2G08U0D-SCB0 SLC 2GbK9F4G08U0F-SCB0 SLC 4GbK9F4G08U0F-5CB0 SLC 4GbTC58NVG0S3HTA00 SLC 1GbTC58NVG1S3HTA00 SLC 2GbTC58NVG2S3HTA00 SLC 4GbTC58BVG0S3HTA00 SLC 1GbTC58BVG1S3HTA00 SLC 1GbMT29F1G08ABAEAWP:E SLC 1GbMT29F2G08ABAEAWP:E SLC 2GbMT29F4G08ABAEAWP:E SLC 4GbH27U1G8F2DTR-BC SLC 1GbH27U2G8F2DTR-BC SLC 2GbH27U4G8F2DTR-BC SLC 4Gb
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编辑：admin 最后修改时间：2020-06-02
