eMMC简史
关键字： eMMC说起eMMC的展开进程，首先要说说flash的发展历史 Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash，两者均为非易失性闪存模块。 1988年，Intel初次发出NOR flash技术,彻底改动了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主，可以让微处置器直接读取。由于读取速度较快，但晶片容量较低，所以多应用在通讯产品中，如手机。 1989年，东芝公司发表NAND flash结构，强调降低每比特的本钱,更高的性能，并且像磁盘一样可以经过接口轻松升级。由于NAND flash的晶片容量相关于NOR大，更像硬盘，写入与肃清资料的速度远快于NOR，所以当时多应用在小型机以储存资料为主。目前已普遍应用在各种存储设备上, 可存储代码和资料。 NAND Flash的存储单元发展:从 SLC, MLC到TLC。 SLC=Single-Level Cell, 即1bit/cell，读写速度快，寿命长，价钱是MLC三倍以上，约10万次读写寿命。 MLC=Multi-Level Cell, 即2bit/cell ,速度普通，寿命普通，价钱普通，月3000-10000次读写寿命。 TLC=Triple-Level Cell, 即3bit/cell，速度慢，寿命短，价钱低价，约500次读写寿命，技术在逐渐生长中。 摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价钱不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美圆所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。而NAND Flash行业的摩尔定律周期则只需12个月。 NAND Flash的存储单元从最初的SLC（ Single Layer Cell）, 到2003年开端兴起MLC (Multi-Layer Cell), 展开至今，SLC曾经淡出主流市场，主流存储单元正在从MLC向TLC（Triple Layer Cell）迈进。纳米制程工艺和存储单元的展开，使得同样大小的芯片有更高密度和更多的存储单元，Flash得以在容量疾速增加的同时，还大幅降低了单位存储容量的本钱。 但其弊端也随意显现，从原来的1bit/cell展开到后来3bit/cell, 计算更为复杂，出错率难免更高，读写次数和寿命也会更短。在这种情况下现有MLC 和 TLC Flash 都需求搭配一颗高性能的控制芯片来提供EDC和ECC、平均擦写等Flash管理。 近年平板电脑和智能手机等智能设备在全球的迅速崛起，嵌入式存储eMMC即营运而生 iphone，iPAD带动了智能手机战争板电脑行业的迅猛展开，引发了电子产品更新换代，对存储硬件提出了更高的恳求。多媒体播放、高清摄像，GPS，各色各样的应用以及外观轻薄小巧的展开趋向，恳求存储硬件具有高容量、高稳定性和高读写速度的同时，需求存储芯片在主板中占有更小的空间。但是NAND Flash 随着纳米制程和存储技术的主流趋向展开，性能却在不时降落。可擦写寿命短，出错概率高，读写速度慢，稳定性差。嵌入式存储芯片eMMC就可以补偿这个市场需求和NAND Flash展开的缺口。 eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用统一的MMC标准接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性，产品内部曾经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电维护等技术。用户无需担忧产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。同时eMMC单颗芯片为主板内部俭省更多的空间。 目前市场上流通的eMMC产品均出自国外知名半导体厂商，主要包括：SANDISK、samsung、hynix、micron、kingston等。深圳市兆丰源科技有限公司专注于以上品牌的eMMC销售，公司常备大量原装现货，欢迎新老客户前来洽谈咨询。 eMMC的未来 eMMC规格的标准逐渐从eMMC4.3世代展开到eMMC4.4世代，eMMC4.5行将问世。就目前JEDEC的规划方向来看，eMMC下一个世代将会由UFS(Universal Flash Storage)规格接棒。我们将UFS视为一种衔接eMMC 4.5版后的NAND Flash新接口标准，预期未来初期将在智能型手机及平板计算机等新兴智能型移动装置上，成为嵌入式储存媒体的主要的应用标准之一。UFS将提供极高的速度，以即时高速存储大型多媒体文件，同时在消费电子设备上运用时降低功耗。有了新的标准，估量用户存取90分钟电影的时间会从目前的3分钟降低到几秒钟。这项新的标准将支持手机，数码相机等其他消费电子产品，并将做为便当通用的开发标准存在。
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编辑：admin 最后修改时间：2020-06-02
