Nand Flash的擦写次数与使用寿命
Nand Flash因为其电气特性，读和写是按页来读取的，而擦除是按照块来擦除的，了解这些，我们就比较容易去理解Nand Flash的擦写次数与使用寿命。
通常，一个对NAND的写操作包括如下步骤:
1) 从NAND中读取一个页面，内容放入NANDflash的寄存器中。
2) 更新寄存器中的内容
3) 找一个空白页
4) 把寄存器中的内容写入空白页
5) 把先前的页面标记为无效页
最终，Garbage Collector会把无效页面并入同一块中，然后擦除这个无效块，以备今后使用。
了解的上述NAND读写的原理，我们就可以计算正常情况下NAND分区的使用寿命。Flash都有擦写的上限，通常标记为P/E门限。大多数商用的NAND flash门限可以支持10万次P/E cycles, 超过这个门限，flash无法保证其存储数据的完整与正确性。
基于NAND的嵌入式文件系统通常都运用一种叫做wear leveling的技术，使得对每一块的读写在整个NAND分区中均匀分布。并且通过坏块管理来把写失败的块标记为坏块。这些技术可以充分利用全部存储空间，有效提高NAND flash的寿命。
基于此，预期的NAND使用寿命可以通过如下公式计算出来。
Expected lifetime (in days) =
EFS Partition size (in Bytes) x Number of Program/Erase cycles x Overhead ratio /
File size written (bitrate in Bytes/sec) x 24 hours x 60 min x 60 sec
需要注意两点，
1) Overhead ratio 是文件系统的开销。
2) FileSize written应该考虑页面的大小。比如说flash的页面大小是1024 Bytes, 一个应用每一秒钟写一次flash, 每次一个字节，File size written 应该是1024, 而不是1。
编辑：admin 最后修改时间：2023-03-01
