spi nand Flash硬件组成介绍
以华邦的W25N01GV型号进行举例介绍;
封装
一般常见的有WSON和BGA封装;
协议
走SPI协议,一般是4线模式(标准模式):片选、时钟、数据写、数据读;还有其他两种模式:Dual/Quad SPI;1、/CS;片选信号,低电平有效,在进行读写操作时需要把片选信号拉低;
2、DI, DO and IO0, IO1, IO2, IO3;数据传输线;
3、 /WP;写保护,低有效,拉低时flash变为只读状态,不能进行写和擦除,还可配合保护寄存器里面的值进行block的保护;
4、CLK;时钟信号线,可设置时钟;
结构
以华邦128MB spi nand为例,1片里面有1024个blocks,1个blocks里面有64个pages,每个page里面包含2048字节数据区和64字节OOB区;
由于此flash内部ECC纠错能力是512Bx1,意思就是512字节数据可纠错1个bit位,那么2048字节数据就分位4个sector,每个sector单独计算ECC校验码,对应关系如下:
每个block的坏块标记一般是写在第一个page的第一个OOB区的第一个字节,一般非0xFF为坏块标记,具体情况还是要参考datasheet;
读写
目前看到只有华邦spi nand支持连续读功能,连续读功能打开只需把寄存器里面的BUF=0;普通读需要每次读数据之前发送读命令和地址,而连续读只需发一次命令和地址,后面会自动把下一个page数据准备好可直接读取,提交了数据传输速度;
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编辑:Simon 最后修改时间:2019-05-17