平面MOS和超结MOS的区分，如何进行选型
平面MOS（Planar MOS）和超结MOS（Super Junction MOS）是两种不同的MOS结构
1. 结构区别：平面MOS是一种传统的MOS结构，其特点是沟道和控制栅极在同一平面上，通过控制栅极电压来调节沟道电阻，实现电流的控制。超结MOS则是一种改进的MOS结构，其特点是在沟道区域加入了周期性的掺杂结构，形成P-N结，从而减小了漏电流，提高了开关速度和效率。
2. 特性区别：平面MOS的主要优点是制造工艺成熟、稳定性好、制造成本低，适用于一般的功率应用。但其缺点是漏电流较大，开关速度相对较慢。超结MOS的主要优点是漏电流较小，开关速度较快，效率较高，适用于高频率和高功率应用。但其缺点是制造工艺相对复杂，成本较高。
3. 应用领域：平面MOS广泛应用于低功率电子设备，如手机、计算机等。超结MOS主要应用于高功率电子设备，如电源、电动车、太阳能逆变器等。
4.性能差异： 平面MOS的主要性能指标包括漏电流、开关速度、功率损耗和电压容忍度等。由于其结构相对简单，漏电流较大，开关速度相对较慢，功率损耗较高，而电压容忍度较低。
超结MOS在这些方面表现更优秀。由于其特殊的结构设计，漏电流较小，开关速度较快，功率损耗较低，而且能够承受较高的电压。
5.成本和制造工艺： 平面MOS的制造工艺相对简单，成本较低，适用于大规模生产。超结MOS的制造工艺相对复杂，成本较高，适用于一些对性能要求较高的应用。
平面MOS适用于低功率应用，成本较低，制造工艺成熟，但在漏电流和开关速度方面存在一定的劣势。超结MOS适用于高功率应用，具有较低的漏电流、较快的开关速度和较高的电压容忍度，但成本较高，制造工艺相对复杂。在选型时，需要根据具体应用需求综合考虑各种因素来做出选择
平面MOS和超结MOS在结构、特性和应用领域上存在明显的区别，根据具体的应用需求选择合适的MOS结构
编辑：admin 最后修改时间：2023-10-10
