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乘胜追击?国芯替代!华为投资来了

关键字: 充电桩芯片 汽车领域芯片 IGBT芯片 作者: 来源: 发布时间:2022-08-19 浏览:3

“充电桩芯片”第一股东微半导在科创板挂牌上市,首日开盘5分钟涨超13%,市值破百亿元,惹来众人瞩目。

实际上,东微半导是一家工业及汽车领域应用的半导体企业,在高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域中,实现了国产化。

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德系大厂背景,车芯“交集替代”?

据悉,东微半导的联合创始人为龚轶与王鹏飞,2008年9月,龚轶与王鹏飞共同创办东微有限。

编者查阅资料显示,龚轶早年便担任美国超微半导体公司工程部工程师。后来,龚轶转投到德国英飞凌科技,担任技术专家。

而王鹏飞与龚轶有着相似的经历,王鹏飞早年在德国英飞凌科技,担任存储器研发中心研发工程师一职。关键的是,王鹏飞还担任过复旦大学微电子学院教授,是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者。

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因此,上述两人年龄背景相仿,在车载芯片上发生了交集也就不难理解了。在成立东微半导后,龚轶一直做总经理,负责东微半导的业务,王鹏飞则为首席技术官,带领刘磊、刘伟及毛振东进行研发。

另外,编者发现,东微半导核心技术人员均为半导体相关专业毕业,从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年,有着较为丰富的产品开发经验和项目管理经验。在缺芯潮背景之下,这是对东微半导业绩如虎添翼?


对此,编者也留意到,预计东微半导2021年度,营业收入为7.72亿元至8.03亿元,同比增长150%至160%。显然,营收大增的背后,是新能源汽车充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求提升,公司产品规模增长所致。

不难发现,东微半导专注新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源等领域,为国内少数专注工业级高压超级结MOSFET领域的高性能功率半导体厂商。

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另外,在业务结构中,东微半导与士兰微和新洁能相近。士兰微主营MOSFET、IGBT半导体分立器件;新洁能则做沟槽型功率MOSFET、超级结功率MOSFET的。

总的来说,随着中美贸易摩擦、自主可控意识的提升,以及国内下游汽车电子、5G通信、工业电子等需求的提升,国内功率半导体企业将凭借市场优势,迎来高速发展时期,国产替代将是大势所趋。

硬实力“吸金”,华为投资借势而起?

编者留意到,东微半导此次募投中的研发工程中心建设项目计划在SiC器件、新型硅基高压功率器件方向进行布局,为其可持续发展提供更有力的技术支撑。东微半导提早布局并推出碳化硅功率器件,能够持续扩产公司产品类型,为客户提供更加完整的高性能功率器件产品,也将为将来的发展提供了更大的想象空间。

除此之外,基于业内独创的Tri-gate IGBT技术,东微半导的研发团队创造性地提出了Hybrid-FET器件结构,该器件在大幅提高功率器件功率密度的同时,能够维持较高的开关速度,可明显提升系统效率。

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因此,从东微半导的招股书和以往公开的资料,也发现多项令人意外的技术亮点,也就不难理解这家素来低调的公司为何同时被众多大资本看中。

实际上,与比亚迪半导体一样,作为炙手可热的车载芯片,东微半导IPO备受瞩目,其背后的投资阵容非常亮眼,包含了哈勃投资、中芯聚源、中兴创投以及元禾控股等,而随着东微半导的上市,哈勃投资获得了多倍回报。

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当然,这不是哈勃投资第一次在VC投资上,获取丰厚回报。

编者也发现,自哈勃投资成立以来,或已经拿下6个IPO,此前不久哈勃投资押中的天岳先进也在科创板挂牌上市。随着天岳先进的上市,哈勃投资在这笔投资中,回报倍数达到20倍。

此外,思瑞浦、灿勤科技、东芯股份、炬光科技,均是哈勃投资投出的IPO。或许是VC投资做的“风生水起”,哈勃投资也正式进军私募。

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总的来说,东微半导顺利打造出高性能的高压超级结MOSFET,凭借着独创的Tri-gate IGBT技术,东微半导又顺利进入IGBT市场,并开发出第三代半导体芯片。相信东微半导成功IPO之后,有更大作为。

而截至目前,哈勃投资的公司中,纳芯微、好达电子、长光华芯等均已经过会。乘着相关投资企业东风之下,可以预见,一个“硬科技VC”巨头也正在崛起。





编辑:ZQY 最后修改时间:2022-08-19

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