uPI用于GaN上应用的超高速 80V-HB驱动器
功率密度的新水平
35年前取代双极晶体管以来，硅MOSFET已广泛应用于大多数电力应用中。在这10年中，氮化镓（GaN）已经是一种成熟的半导体材料，广泛应用于LED照明和无线应用。现在，随着GaN FET的特性和工艺的进步（更低的Rdson和Qg），功率转换器将具有更高的效率、更快的开关频率和更小的尺寸。GaN必将把当前的电源解决方案带入下一个层次。
uPI GaN驱动器系列
uPI超高速80V HB驱动器-uP1966设计用于有效地驱动半桥和全桥配置中的高侧和低侧GaN FET。它集成了死区时间控制电路、内部助推电源和更快的传播延迟。与分立实现相比，它使用简单，它为您的电源解决方案带来了更高的功率密度和效率，同时减少了组件数量。uP1966有Couple版本，支持不同的输入源、可调死区控制和超高频应用。所有版本均采用12引脚WLCSP封装，封装电感最小。
特征：
输入电压敢达80V
独立的高侧和低侧TTL逻辑输入
0.4Ω/0.7Ω下拉/下拉低电阻
内部增压器电源电压
独立死区时间控制
15ns快速传播延迟
WLCSP 1.6 X 1.6 mm2-12B
特征：
6V至12V单电源范围
0.4Ω/0.7Ω下拉/下拉低电阻
6A/2A峰值吸收和源极驱动电流
集成LDO
可调栅极驱动器输出电压
5ns，快速上升和下降时间
13.5ns快速传播延迟
WDFN 3 X 3 mm2-10针
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编辑：ZQY 最后修改时间：2022-10-27
