国巨超高容值MLCC有望在未来取代钽电容
国巨公司(Yageo)成功开发X5R 1210 100μF(微法拉)高容值积层陶瓷电容(MLCC)。这是国巨公获得2,200万元补助金，执行“经济部”工业局“主导性新产品开发辅导计划”的研究成果，该计划已于2006年底结案。
国巨公司MLCC研发技术中心协理胡庆利博士表示：“X5R 1210 100μF积层陶瓷电容运用了多项先进技术，包括奈米粉体覆盖、内埋式电极、精密印刷、低温端电极等。藉由整合国巨研发团队资源以及工研院材化所、台大材料所的研发能力，在高容值MLCC产品的开发上，具备前所未有的指标意义。”
他解释说，所谓高容值MLCC的定义是，其电容值大于1μF，以及介电层厚度小于4微米。而这颗1210 100μF产品的介电层厚度为1.7~1.8微米，堆栈数高达八百余层，对国巨来说来说，是一重要的技术突破。
而针对MLCC目前朝向小型化与高电容密度的发展趋势来看，胡庆利表示，透过此计划所累积的技术将有助于国巨未来开发出更高阶的产品。
但就市场应用来看，胡庆利指出，100μF高容值MLCC可应用于液晶电视、液晶显示器、电源供应器，及低功耗的手持式消费性电子产品。目前，100μF的高容值电容市场是由钽质电容主导，而X5R 1210 100μF积层陶瓷电容的温度性稳定较高，在-55℃至85℃的工作温度范围内，误差值仅为±15%，生产良率稳定，长期来看有可能在未来取代钽质电容市场需求。
但是，考虑成本效益与目前的市场需求，国巨公司积层陶瓷电容事业部副总经理胡湘麒表示，从市场需求来看，1210 100μF并不会是该公司今年的重点。另一颗日前推出的小尺寸0603 10μF产品，是以计算机产品应用为主，才会是国巨今年高容值MLCC产品的重点。0603 10μF产品的介电层厚度为1.2微米，堆栈层数为三百多层；就介电层厚度的技术指标来看，亦是一颗高阶组件。
胡庆利表示，国巨仍将持续开发更高阶的高容产品，并同时亦会再积极争取经济部的相关研发计划，除高容外，高压、高频MLCC组件的开发都有可能是下一阶段的提案方向。
编辑：admin 最后修改时间：2017-09-05
