移动电话的静噪措施
噪声发射状态：
当噪声从基带电路部分流入RF电路部分时，将出现灵敏度抑制，导致BER (位差错率) 恶化。移动电话基带电路部分，一般为基带IC，控制各种信号，如语音信号和LCD信号。基带IC是一种重大的噪声源，因为工作速度较高，并连接许多数据线。如果此类噪声通过数据线或电源／GND线流入RF电路部分中，就会发生灵敏度抑制，导致BER (位差错率) 恶化。
移动电话的静噪措施
为了改善BER (位差错率) 恶化状况，必须抑制噪声从基带电路部分流入RF电路部分。为此，应在基带电路部分与RF电路部分之间的噪声传导路径上安装EMI滤波器。
近来，随着基带电路部分的噪声电平日益变高，对基带电路部分进行屏蔽也变得很重要。
下面将对上述5种情况的静噪示例进行详细描述。
在LCD线上安装EMI滤波器
由于LCD的数据总线和地址总线包含许多同时开关的线路，将产生瞬态大电流，流入电源／GND线。因此，必须采取措施抑制电流流入信号线。通常，片状铁氧体磁珠排列型BLA31系列和带电阻的片状EMIFIL?NFA31G系列可用于此目的。如果无法插入这些元件，则应将微波吸收薄膜EA系列贴装在LCD软性电缆上，以抑制噪声通过该软性电缆传导。
在DC电源安装EMI滤波器
为了抑制噪声从基带电路部分通过DC电源线流入RF电路部分，应在DC电源线上安装片状铁氧体磁珠BLM15系列。铁氧体磁珠与DC电源线用片状EMIFIL?NFM21P系列的组合使用可实现增强的静噪效果。
片状EMIFIL?NFM21P系列是一种三引出电容器，具有比二引出电容器更好的高频特性。当旁路电容器由几个具有不同常数的二引出电容器组成时，可以将它们替换为单个片状EMIFIL?，从而在安装空间方面提供一种优势。
在数据线上安装EMI滤波器
基带电路部分含有许多数据线。作为一个典型示例，这里将对SIMM数据线进行描述。一个片状铁氧体磁珠BLM15AG601SN1安装在SIMM数据线上，以抑制噪声传导。由于SIMM数据线工作速度相对较低，故可以采用具有大阻抗的片状铁氧体磁珠。但是，如果将具有大阻抗的片状铁氧体磁珠用于高速数据传输线，则会对传输信号的波形产生不利的影响，造成波形变形或失真，引起动作不良。为防止出现这些问题，对于高速信号线，应采用对信号波形影响较小的信号线用铁氧体磁珠BLM15BB/BD系列。
在接口部分安装EMI滤波器
如果噪声流经接口电缆，从电缆发射的噪声将被衍射并流入天线，造成BER恶化。为了抑制噪声通过接口电缆传导，应在基带IC与电缆连接器之间安装片状铁氧体磁珠BLM15系列。
对于使用高通信频率 (例如PDC1.5、DCS、PCS) 的移动电话，采用在该频率范围内具有高阻抗的共模扼流线圈DLP31或DLW21系列，可实现更卓越的静噪效果。
对于接口部分的噪声抑制，需要采取抗扰度测试和防止传输波衍射的措施。因此，必须按照预期目的和频带选择最佳
EMI滤波器。
增强屏蔽
通常，移动电话树脂外壳采用导电镀层屏蔽。随着移动电话的功能越来越丰富，基带电路部分产生的噪声电平也已提
高。因此，屏蔽基带电路部分就象屏蔽RF电路部分一样重要。移动电话应将外壳的接触表面设计得尽可能大，并降低高频阻抗。
采用金属盒对基带电路部分进行局部屏蔽，或将微波吸收薄膜贴装在屏蔽接触表面上，也可以增强屏蔽状况。
文章来源：村田制作所官网
编辑：admin 最后修改时间：2017-12-13
