三星拟扩产 3D NAND闪存 外资：2017 年产能将拉高近 4 成
韩国经济日报（KoreaEconomic Daily）15日报导，三星电子（SamsungElectronics Co.）打算在2017年底前扩充3D NAND型快闪内存产能，总共要斥资25兆韩元，主要扩产的是位于中国西安的厂房，预定今年稍晚会于该厂新设一条3DNAND生产线，另外还将在韩国平泽市的厂房投入资本。虽然根据韩国时报报导，三星电子已在15日稍早否认上述消息，宣称3DNAND的投资内容尚未敲定，但分析师似乎认为韩媒的报导内容相当可信。
颖特新科技讯：J.P.摩根发布研究报告指出，三星应该会在今年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆（西安厂12万片、Line 16厂接近4万片）。三星的西安厂目前已接近产能全开，且该公司还计划把Line16厂的部分2DNAND产能转换为3D。
另外，三星也将善用Line17厂在2楼的空间，于明年投产3DNAND。依据上述假设，J.P.摩根估计三星明年底的3DNAND月产能将攀升至22万片（西安厂12万片、Line 16厂近6万片、Line 17厂近4万片），等于比今年底的月产能（16万片）扩充37.5%，并占业界总体产能的12%。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-04
