你好!欢迎来到 !
语言
当前位置: 首页>> 技术中心>> 电容电阻>> ARM 加入 INSITE 计划 加速推动 7 纳米手机芯片的问世

ARM 加入 INSITE 计划 加速推动 7 纳米手机芯片的问世

作者:admin 来源:不详 发布时间:2018-01-05 浏览:2

全球IP硅智财授权厂商ARM于12日宣布,将参与IMEC(欧洲微电子研究中心)代号为INSITE的计划,藉此以强化双方的合作。据了解,INSITE计划乃是致力于优化集成电路设计、系统层面架构的功耗表现,并且产品提高性能与降低成本。

ARM表示,本次合作的重点是7纳米制程及其以上的半导体芯片为主。未来,两者进一步合作后,预计将可透过学习新技术与设计目标,加速半导体芯片的性能提升,使其在INSITE计划下的战略性产品能够尽早进入市场。

2009年IMEC即启动的INSITE计划,目前有10个企业或单位加入,其目的在于要帮助企业或单位预测新技术,以设计出符合下一代系统的设计和应用。而且,藉由藉由INSITE计划中假设的学习过程,可以适当调整设计目标和权衡预期系统的性能状态,确认相关产品未来的发展路线,藉由早期技术回馈,能在产品设计的早期就决定变化。如此,不但加快企业或单位在新技术项目上的学习周期,更可降低风险的科技应用。

而在INSITE计划下,根据最近一次的成果展现是预计2016年10到12月间,台积电将会量产10纳米FinFET制程的联发科Helio X30,以及华为麒麟970芯片。而华为的麒麟970芯片将有望于11月上市的Mate 9智能手机上被采用。至于,安装7纳米制程芯片的智能手机,则预计将会在2018年左右登场。



编辑:admin 最后修改时间:2018-01-05

相关文章

    热销产品

      联系方式

      0755-82591179

      传真:0755-82591176

      邮箱:vicky@yingtexin.net

      地址:深圳市龙华区民治街道民治大道973万众润丰创业园A栋2楼A08

      Copyright ? 2014-2023 All Rights Reserved.粤ICP备14043402号-4

      Baidu
      map