美光首个 3D NAND 芯片送样，打破三星独霸局面
内存的3DNAND Flash大战即将开打！目前3DNAND由三星电子独家量产，但是先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点。
TechRadar、ComputerWorld报导，美光9日宣布开发出该公司第一款3D NAND芯片，采48层堆叠，容量为32GB。这款3D NAND将用于中高端智能手机，支持全新的储存标准UFS2.1。
美光宣称，新品效能比前代提升40%，尺寸更是业界最小，美光的3D NAND晶粒（die）比相同效能的平面NAND晶粒，体积缩小30%。新品已送样给移动设备厂，预定今年底广泛出货。
美光移动业务部门发言人DanBingham说，该公司第二代3DNAND将为64层，研发时程尚未公布。为了支持虚拟现实和串流影片需求，移动设备的内存容量不断增加，美光预估，2020年智能手机的内建内存或许会有1TB，和电脑差不多。
霸荣（Barronˋs）9日刊出Pacific Crest报告，内容预测3D NAND时代将要到来。报告称，英特尔、美光、SK海力士（SK Hynix）、东芝、Western Digital的3D NAND应该很快就会上市。估计第三、四季3DNAND产品将会大增。英特尔和美光的产品已经差不多就绪，东芝和SK海力士则可能在Q4出货。
Pacific Crest认为，3D NAND战役中，美光情势有利。该公司的3D NAND尽管层数较少，但是密度高，而且美光无可损失。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
