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2017 年中国将推自主生产 32 层堆叠 3D NAND 闪存

作者:admin 来源:不详 发布时间:2018-01-05 浏览:1

随着当前智能手机、SSD等产品的市场需求强烈,包括闪存、内存等储存芯片需求大量成长,近期价格也摆脱低潮,持续上涨,这样的机会点也给了中国相关企业介入储存芯片市场的发展契机。根据外电的报导,在这波储存芯片的热潮下,中国本身也将在2017年推出32层堆叠的3D NAND闪存。虽然,这样的技术相较韩国三星、日本东芝等国际大厂来说仍有落差,但总是为中国闪存市场跨出第一步。

在中国发展半导体产业的规划中,储存芯片的发展名列最优先位置,也是全国各地都抢着争取的项目。其中,中国国家级的储存芯片基地在武汉,目前投资超过240亿美元。之前由新芯科技主导,在2016年7月份紫光集团收购了新芯科技大多数股权之后,现在已经变成了紫光集团主导,并预计2017年正式推出自主生产的32层堆叠3D NAND闪存。

2015年,国家级储存芯片基地确定落脚武汉之后,由武汉新芯科技公司负责建设的12寸晶圆厂,已经于2016年3月份正式动工。整个计划预计分为三期,现在启动的是第一期,主要目标是生产3DNAND闪存为主。而在2018年将启动的第二期建设,规划是上则是以DRAM内存为主。至于,2019年启动第三期建设,主要目标则为晶圆代工服务。而产能部分,2020年目标为每月30万片,到了2030年则是每月100万片。

2016年7月份,紫光集团收购了新芯科技多数股份之后,随即成立了武汉长江存储科技(TRST),紫光集团持股超过50%,董事长赵伟国也将兼任长江存储科技的董事长。这事情所显示出的意义,即是紫光集团在收购美光触礁,并购WD也不成功的情况下,现在总算是可以正式进军储存芯片领域。而且根据规划,长江存储最快在2017年底,就将正式推出中国本土生产的32层堆叠3D NAND闪存。

过去,新芯科技主要以生产NOR闪存为主,而当前的NAND闪存其技术层次要高于NOR闪存,而主要技术来源是飞索半导体(Spansion)。因此,考虑到与国际大厂三星、Hynix、东芝、美光、Intel等公司的技术差距,中国本土生产的32层堆叠3D NAND闪存的其已经有一定的技术层次。只是,2017年底推出时,这些国际大厂包括48层堆叠,甚至是64层堆叠的3D NAND闪存可能早已经问世。

不过,在中国自主发展储存芯片的政策,而且相关业者在政府扶持的情况下,未来技术上依旧会持续追赶。以新芯科技来说,在2017年推出32层堆叠3D NAND闪存,也预计将在2018年底前推出48层堆叠的3D NAND闪存,逐步缩小技术上的差距。



编辑:admin 最后修改时间:2018-01-05

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