钽电容，专业术语，您收藏了吗？
在《钽电容,您真的了解了吗？》提到了钽电容的电性参数（CR、VR、tgδ、I0、ESR），那这些参数究竟代表什么意思呢？下面随颖特新网小编一起去看看吧。
一、CR (电容量)
标称的额定容量，它是作为等效串联电路的容量测试的。
单位：法拉(F),常用单位：微法(uF)
换算如下：1F=103mF =106F =109nF=1012pF
容量的实际值和额定值之间可允许的偏差，K=±10%，M=±20%。
标称容量是指钽电容的标称额定容量,其测试条件是25℃、120Hz频率和1V；直流偏置会造成电容值略微降低；电容值随频率的增加而减少，随温度的升高而升高。
有效容量随频率的增加而减少。超过100KHz,容量继续下降直至达到谐振点 (一般在0.5-5MHz 之间，决定于额定值)。超过谐振频率,元件变成电感。
二、VR(额定电压)
额定电压是可以连续工作在85℃的额定直流电压。
额定电压 （V） |
2.5 |
4 |
6.3 |
10 |
16 |
20 |
25 |
35 |
50 |
电压代号 （V） |
e |
G |
J |
A |
C |
D |
E |
V |
T |
类别电压(Vc)：可以连续加到电容器上的最高电压，它等于+85℃时 的额定电压。施加的电压超过此温度必须线性降额，125℃时应降到2/3 VR 。
浪涌电压(Vs)：可以在短时间内可以加到电容器上的最高电压，包括 AC峰值电压，DC偏置电压和瞬间过压之和。
三、tgδ (损耗)
损耗是电容器中能量损失的度量，在120, 1.0 vrms，+25°C下测试。直流偏置会造成损耗值略微降低。损耗定义为钽电容的耗能与储能的比值，也就是ESR和容抗的比值，用百分比表示。损耗与电容值和频率成正比。损耗也被称之为损耗角，与Q值互为倒数。损耗随频率增加而增加，随温度升高而降低。
四、I0(漏电流)
电容介质不可能绝对不导电，当电容加上直流电压时，电容器会有漏电流产生。若漏电流太大，电容器就会发热损坏。
漏电流随温度的增加而增加。工作在85℃和 125℃之间，最大工作电压必须降额，可以从下面的公式中求得：
Vmax.=
这里：T 是要求的工作温度
漏电流会随施加电压的增大而增大。当减少使用电压时，漏电流快速下降，低于对应额定电压值时的漏电流，会明显增加可靠性。
五、ESR (等效串联电阻)
ESR是电容电阻损耗的综合，包括元件内部的电阻和接触电阻、电容介质内部的粘滞力和旁路电流通道造成的缺陷，起主导作用的主要是钽电容的阴极材料，ESR会随频率的增加而减少。
ESR 的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度都有关系。
一般来说，当额定电压及壳号固定时，容量愈大ESR愈低；同样当容量固定时，选用高的额定电压的品种也能降低ESR；低频时ESR高，高频时ESR低；高温也会造成ESR 的升高。
等效串联电阻过大，不仅会影响转换率还会影响输出纹波电压。
ESR是等效“串联”电阻，将两个电容串联，会使ESR值增大，而并联则会使之减小。因此在需要更低ESR的场合，而低ESR的大容量电容价格又相对昂贵的情况下，用多个ESR相对高的电容并联，形成一个低ESR的大容量电容也是一种常用的办法。
编辑：admin 最后修改时间：2023-08-18
