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中国电容器走向片式化历程回顾

作者:admin 来源:不详 发布时间:2018-01-05 浏览:0

20世纪80年代中前期中国电容器产业的片式化率几乎为零,仅有极少量多层陶瓷电容器(MLC)半成品芯片以手工方式贴装于厚薄膜混合集成电路基板。传统引线电容器中电解电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器三分天下,当时铝电解电容器和单层圆片形陶瓷电容器占绝对优势,钽电解电容器和MLC寥寥无几。


80年代初,第一个完全采用SMT技术的终端产品为彩电调谐器,日本进口MLCC牢牢占据了这一市场,在国产化配套进程中国内MLCC行业几乎全军覆没。而时至今日,随着国际IT、AV与通信终端产品制造商纷纷落户中国境内,全面促进了包括MLCC在内的新型片式元器件等上游产业的国际化趋势,同时,中国本土MLCC制造商也在严酷的国际化竞争中得到全方位提升。我们把这20年具体发展进程分四个阶段评述如下。


第一阶段:20世纪80年代中期,原电子工业部下属715厂、798厂以及若干省市直属企业先后从美国引进13条MLC生产线,标志着中国MLC生产核心技术从早期轧膜成型工艺过渡到现代陶瓷介质薄膜流延工艺,在产品小型化和高可靠性方面取得实质性突破,并于1987年成立了以引进生产线为组成单位的MLC行业联合体。其中有代表性的是1985年风华在国内率先从美国引进具有当时国际领先水平的年产1亿只片式多层陶瓷电容器生产线和技术,吹响了中国片式多层陶瓷电容器追赶世界先进水平的号角,大大缩短了中国新型电子元器件与国外发达国家的差距,为中国新型电子元器件产业的发展打下了基础。

第二阶段:20世纪90年代前期,以上述企业与后续进入的达利凯、特威等外资企业间相互兼并整合,以及风华高科集团的脱颖而出为标志。1994年,风华攻克MLC低温烧结高性能Y5V瓷料这一国际性技术难关,产品总体性能指标达到世界先进水平,不仅填补了国内空白,而且产品以其高介、低烧、高可靠及低成本等独特优势打入国际市场,结束了中国电子陶瓷材料长期依赖进口的局面,其间,三层端电极电镀工艺的突破,实现了引线式多层陶瓷电容器向完全表面贴装化的片式多层陶瓷电容器的过渡。

第三阶段:20世纪90年代中后期,日系大型MLCC制造企业全面抢滩中国市场,先后建立北京 村田、上海京瓷、东莞太阳诱电等合资与独资企业。以天津三星电机为代表的韩资企业也开始成为一只新兴力量。在这期间,克服了困扰十余年的可靠性缺陷,以贱金属电极(BME)核心技术为基础的低成本MLCC开始进入商业实用化。

第四阶段:新旧世纪之交,飞利浦在产业顶峰放弃出让被动元件事业部,拉开了中国台湾地区MLCC业全面普及BME技术的序幕。 国巨、华新、达方、天扬等台系企业的全面崛起,彻底打破了日系企业在BME制造技术的垄断,高性价比MLCC为IT与AV产业的技术升级和低成本化作出了重大贡献。同时,台企无一例外地开始将从后至前的各道工序制程不断向大陆工厂转移。

编辑:admin 最后修改时间:2018-01-05

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