车用SiC半导体显著提升电动车效能
改用SiC材料的功率半导体，在电动车应用渐广，日经技术(Nikkei Tech-On)网站特别以罗姆半导体(Rohm Semiconductor)的产品进行说明，指出SiC功率半导体与传统Si功率半导体的技术差异与优点。
与Si功率半导体比较，SiC功率半导体主要优点有3项：一，可耐高电压，同等性能下，运作电压值可多一个0。二，导通电阻与漂移层电阻可明显降低，有助于加速处理。三，热传导率达3倍，容易散热。
能耐高电压特性在二极管的应用上，重点就是萧特基能障(Schottky Barrier)的顺向电压可以降低，逆向电流可以缩短，电能损失小，运作频率容易提高，有助于加快处理速度，电路上用的电容也可以缩小与减少。
一般Si材料二极管的运作电压，只能提高到100~200V，对电动车而言，电压太低，不适合用作电动车电源零组件；但SiC材料二极管的运作电压，可以提高到1,000V水平，这对电动车而言便足以应用，甚至可以利用高电压，加速电动车的充电。
而在金属氧化物晶体管(MOS Transistor)的应用方面，在同样运作电压下，SiC材料可以做得比Si材料更薄，电阻便可降低，罗姆宣称自身的2种不同材料产品，漂移层电阻可减为300分之1。
而且在车用半导体中常用的高电压晶体管产品，绝缘栅双极晶体管(IGBT)，在运作电压500~600V的环境下，导通电阻可以减半；而且因为IGBT的电压与电流关系呈非线性关系，依运作电压状况，导通电阻有可能更低，进一步降低耗电。
而在使用金属氧化物场效晶体管(MOSFET)的IGBT内，Si材料产品会有比较明显的尾电流(Tail Current)，而SiC材料产品几乎没有尾电流，切换时的损失可以降低80~90%。
对于电动车用功率半导体这类高电压环境运作的产品，作业过程产生的热量是不可轻忽的问题，而SiC材料功率半导体不仅可耐高电压与降低电阻，简化电路并降低废热产生，散热速度达Si材料功率半导体3倍的优点，可以进一步减少散热设备的需求与电力消耗。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
