三星扩产 同业是否跟进 市场紧盯
三星电子挟在3D NAND Flash（储存型闪存）领先优势，计划在西安扩产，引起市场震撼。但内存业者认为，要观察其他厂是否有跟进动作，否则三星扩厂新增的产能，预料仍会被市场需求消化。
内存业表示，三星提高资本支出增产3D NAND Flash，预估投产时间落为2019年，与内存厂产出的时间相近，是否会引发市场供需陷入供过于求，目前还难断定。
群联电子董事长潘健成表示，3D NAND制程难度高，且需求相当强劲，主要制造大厂均表示未来三年的产能仍无法供应，因此预料三星增产3D NAND芯片，应是看好在3D NAND芯片取得较佳机会。
潘健成认为，至少二年内，NAND芯片会一直缺货，而且今年第3季将是史上最缺货的一季。
此外，三星资本支出集中增产3D NAND Flash，目前虽未有增产DRAM计划，但对DRAM厂而言，仍将处于供需平衡阶段。业者也预期，目前各家都有节制的增产，透过技术升级达到增加产出，未见投资新厂，但后续得密切观察三星在内存的产能挪移。
南亚科估计，今年DRAM也是处于缺货的一年，下半年以第3季缺货程度最高，缺口估有1%~2%，预料进入传统备货旺季，DRAM价格会再看涨。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
