高压陶瓷电容的介质特性参数
高压陶瓷电容是指应用于高电压系统的瓷介质电容器。
高压陶瓷电容的介质介绍
COG/NPO：属1类陶介质，电气性能最稳定，基本上不随温度、时间、电压的改变而改变，适用于稳定性、可靠性要求比较严格的场合，由于电气性能稳定，高频特性好，可很好的工作在高频、特高频、甚高频频段。
X7R：属2类陶介质，电气性能较稳定，随温度、时间、电压的变化，其特性变化并不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHZ的中频场合。
Y5V：属3类陶介质，具有很高的介电系数，常用于生产小体积、大容量的电容，其容量随温度改变比较明显，抗恶劣环境能力差，仍用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
高压陶瓷电容的原理
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高压陶瓷电容的介质特性参数
项 目COG/NPOX7RY5V
温度特性0+[_]30PPM/℃+[_]15[%]+30[%]--82[%]
环境温度-55℃--+125℃-55℃--+125℃-30℃--+85℃
精度范围C、D、F、G、J、KK、MZ
绝缘电阻IR≥10GΩ≥4GΩ≥4GΩ
损耗高校正切≥30PF：≤1/100000 ≤30PF：Q=400+20*C50V≤2.5[%]；25≤3[%] 16V≤3.5[%]；10V≤5[%]50V≤3.5[%]；25≤5[%] 16V≤7[%]；10V≤10[%]
抗电强度2.5倍VDCW2.5倍VDCW2.5倍VDCW
测试条件25℃、1MHZ、1V25℃、1KHZ、1V25℃、1KHZ、03V
高压陶瓷电容的功能特点
高压陶瓷电容容体比很小，串联电阻小，电感值小，频率/容量特性稳定。它适用于电容量小、工作频率高（频率可达500MHz）的场合，用于高频滤波、旁路、去耦。但这类电容承受瞬态高压脉冲能力较弱，因此不能将它随便跨接在低阻电源线上，除非是特殊设计的。
CC1型(高频低压):材料CH(NPO)、PH(N150)、RH(N220)、SH(N330)、TH(N470)、UJ(N750)、SL(SL);容量在0.5PF~~~~820PF;
CT1型(低频低压):2B4(Y5P)、2E4(Y5U)、2E5(Z5U)、2F4(Y5V)、2F5(Z5V);容量在220PF~~22000PF;
CT81型(低频高压):2B4、2E4、2F4、2R4(Y5R);容量在100PF~~47000PF;
CC81型(高频高压):SL、YL(N3300);容量在10P~~560P;
CS1型(半导体类):材料:3B4、3E4、3F4,容量在10000PF~~220000PF.
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编辑：admin 最后修改时间：2018-02-26
