上海华力亮相CITE2018，55nm SONOS嵌入式闪存技术国际领先
第六届电博会于4月9日－11日在深圳会展中心举办，展会规模超10万平方米，中外参展商逾1800家，同期举办超过100场的行业研讨活动，集中展示智能终端、人工智能、高端芯片、智能制造、智慧家庭等创新成果。
“工业4.0”、“中国制造2.0”、智能卡、物联网、智能可穿戴设备、智能家居等不断深入人们的日常生活，数据和信息安全也因此越来越重要。嵌入式闪存是以上领域得以快速发展的关键芯片和元器件。然而目前国际高端嵌入式闪存的设计和生产都掌握在国外少数厂家手中。
通过技术创新，华力微电子在55纳米嵌入式高可靠性、高竞争力、高质量闪存领域的技术指标和产品市场应用已经达到国际先进水平。就该款55nm SONOS嵌入式闪存的产品特点和优势，颖特新网采访了华力微电子研发一部总监邵华先生。
据邵华介绍，其产品优势主要体现在高可靠性和高质量两个方面：
其一、高可靠性：远高于业界标准的数据保持能力
55纳米SONOS闪存器件的最大难点在于其可靠性，而数据保持能力则是可靠性中最大的难关。华力对传统的栅氧工艺模块和工艺集成方案进行大胆创新，研发了业界首创的“ISSG G1 First方案”，大幅降低了热预算。使得嵌入式闪存产品在极端苛刻的50万次擦写后数据数据保持寿命仍然可以达到20年，远高于业界的1万次擦写后数据保持10年的标准，实现了高可靠性的应用。
其二、高质量：超低成本、高良率
华力55纳米SONOS嵌入式闪存在55纳米逻辑平台上仅增加了4张光罩，与业界其它量产的55纳米嵌入式闪存技术（需要额外加入9~12张光罩）有非常强的成本优势。另外在不采用冗余电路设计的条件下，通过晶圆边缘WEE/EBR/ECP实验、CMP研磨压力边缘优化、PH边缘失焦优化、缺陷边缘定点监测等等，大幅提升产品良率，据华力微电子研发一部总监邵华介绍，目前华力55nm SONOS嵌入式闪存已经到97%良率，优势明显。
基于产品明显优势，华力微电子凭借55nm SONOS嵌入式闪存获得2017 CITE创新产品与应用奖金奖，据了解该产品的主要应用领域为IoT、MCU、智能卡等。
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华虹集团旗下上海华力成立于2010年1月，是国家“909”工程升级改造项目承担主体，拥有中国大陆第一条全自动12英寸集成电路芯片制造生产线（以下简称“华虹五厂”），工艺技术覆盖55-40-28纳米各节点，月产能达3.5万片。目前在浦东康桥建设的第二条12英寸生产线（以下简称“华虹六厂”），设计月产能4万片，肩负国家“909”工程二次升级改造的重任，工艺技术从28纳米起步，最终将具备14纳米三维工艺的高性能芯片生产能力。
华力提供广泛的工艺技术平台及配套IP解决方案，全面应用于手机通信、消费类电子、智能卡、物联网、穿戴电子以及汽车电子等终端产品。华力采取先进工艺和特色工艺两方面同步发展策略，一方面遵循摩尔定律路线，建立了拥有自主知识产权的55-40-28纳米逻辑工艺技术平台，另一方面专注于差异化路线，重点布局射频、高压、嵌入式闪存、超低功耗、NOR闪存和图像传感器等特色工艺平台，致力于为国内外芯片设计公司、IDM公司和其他系统公司提供先进的工艺技术和全面的芯片制造服务。
编辑：admin 最后修改时间：2018-04-21
