新唐ML51UB9AE低功耗8051单片机
ML51UB9AE为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。
ML51UB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设,如 24 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I2C 与 1 组 SPI,并提供 SOP28 封装。
目标应用:
穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。
关键特性:
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CPU |
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全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 |
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指令集全兼容 MCS-51 |
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4 级优先级中断配置 |
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双数据指针 (DPTRs) |
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工作条件 |
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宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V |
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宽工作频率最高至 24 MHz |
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工业级工作温度 - 40℃至 + 105 ℃ |
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低功耗特性 |
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正常运行模式典型功耗 80uA/ MHz |
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低功耗运行模式典型功耗 15uA |
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低功耗空闲模式功耗不超过 13uA |
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掉电模式典型功耗小于 1uA |
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掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行) |
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内存 |
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16K字节 APROM, 用于使用者代码 |
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可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM, 用于启动系统程序设计(ISP)代码 |
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APROM中应用编程(IAP)内存128字节每页累加 |
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Flash 内存100,000次擦写寿命 |
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代码安全加密 |
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256字节片上RAM |
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额外 1 K字节片上辅助 RAM (XRAM),通过 MOVX 指令访问 |
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时钟源 |
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24MHz高速内部振荡器 (HIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) 全工作条件范围下精度 ±5%精度等级 |
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38.4 kHz低速内部振荡器 (LIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) , 全工作条件范围下精度 ± 10%精度等级 |
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外置 4 ~ 24 MHz (HXT)晶振输入为精密定时操作 |
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外置 32.768 kHz (LXT)晶振输入 |
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运行中可通过软件对时钟源切 |
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可编程系统时钟分频器从1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512 |
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外设 |
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24 个通用输入输出引脚。所有输出引脚具有独立的2级电平转换速率控制 |
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8 通道 GPIO 中断,具备边缘/电平检测,全部 24 个 GPIO 均可配置为输入源之一 |
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标准中断引脚 INT0 和 INT1 兼容标准 8051 |
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两组 16 位定时/计数器 0 和 1 兼容标准 8051 |
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一组 16 位定时器 2 带 3 通道输入捕获模块 |
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一组16位自动重载定时器 3 |
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一组可程序设计看门狗定时器 (WDT) |
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一组专用的自唤醒定时器 (WKT) |
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两组全双工串口 |
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一组智能卡接口支持ISO7816-3 |
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一组SPI端口支持主机和从机模式,当系统时钟为24 MHz时传输速率高达6 Mbps |
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两组 I2C 总线支持主机和从机模式,数据传输率高达 400 kpbs |
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6 * 16 - bit 组,12 通道脉宽调制器(PWM)输出,高达 16 位分辨率 |
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一组 12 位 ADC,当 VDD大于 2.5 V 转换速率高达 500 Ksps |
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电源监视器 |
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欠压检测 (BOD) 可用于低功耗模式,7 个级别可选,可配置中断或复位 |
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上电复位 (POR) |
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低电压复位 (LVR) |
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强效ESD及EFT能力 |
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ESD HBM 通过 8 kV |
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EFT > ± 4.4 kV |
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闩锁测试通过 150 mA |
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开发工具 |
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Nuvoton Nu-Link 基于 KEILTM和 IAR 开发环境 |
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Nuvoton 电路编程 (Nu-Link) |
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Nuvoton 在系统编程 (ISP) 通过 UART |
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编辑:admin 最后修改时间:2019-01-24