N76E003 的IO口开漏与推挽的区别
N76E003的中文规格书在I/O端口结构及工作模式里面介绍了四种准双向，其中就包括了开漏与推换，他们两者之间有什么区别呢？
我们先看网友在实际中遇到的问题及回答。
最近发现N76E003的IO开漏接的上拉会被IO又拉低，怎么会这么惨？是这个芯片本身的问题吗？
现象描述： MCU电压3V，VCC电压4V。 VCC通过4.7K电阻接入IO口，IO口设置开漏。 输出1 （非0即1），此时IO口电压3.45V左右， 输出0，电压0V正常。
开漏端口不彻底？造成的影响是，控制PMOS时，有0.5V压差，造成无法关断。 请各位大咖指教。
开漏和推挽区别在于:
开漏，输出端相当于三极管的集电极，要得到高电平状态需要上拉电阻才行。 适合于做电流型的驱动，其吸收电流的能力相对强（一般20ma）。
推挽输出：可以输出高，低电平，连接数字器件。
开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。
推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管导通的时候另一个截止。
开漏模式开漏输出配置关闭所有内部上拉，当端口锁定为逻辑0时，仅打开驱动端口的下拉晶体管。当端口锁存为逻辑1时，它就和输入模式一样。通常用于I2C输出线上，开漏引脚需要加一个外部上拉电阻，典型连一个电阻到VDD。 用户需要注意的是，开漏模式输出逻辑1的时候，应该由外部设备或电阻提供一个确定的电平。悬浮的引脚在掉电状态下会引起漏电。
编辑：admin 最后修改时间：2018-03-12
