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在本文中颖特新小编主要解析功率mos管为何会被烧毁。mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪[详细]
本文主要是讲mos管替换原则及MOS管好坏判断，现来看看mos管替换原则及电子元件器件的替换原则。 近几年，电子产业外部环境变幻频繁，原厂并购与整合代理线、中美贸易战、元器件缺货轮番上演……产业不稳定因素增加，给电子产业供应链带来挑战。元器件替代成为热门话题，如何快速高效找到替代供应商，非常关键。[详细]
mos管开关电路MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。P沟道MOS管开关电路 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与[详细]
开关电源的电路组成开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。开关电源的电路组成方框图如下: 输入电路的原理以及常见的电路（1）AC输[详细]
FET概述 FET即Field Effect Transistor，译为场效应晶体管，也叫场效应管，是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)。有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极。 FET原理简述 现在越来越多的电子电路都在使[详细]
MOS管D80N06替代产品KND3306B详细资料 1、MOS管D80N06替代产品KND3306B-特点RDS(ON)=7mΩtyp@VGS=10V 提供无铅绿色设备 低Rds开启以最小化导电损耗 2、MOS管D80N06替代产品KND3306B-参数 3、MOS管D80N06替代产品KND3306B-封装图 4、MOS管D80N06替代产品KND3306B-规格书查看及下载规格书，请点击下图[详细]
MOS管 MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metal oxide semiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体[详细]
MOS管和三极管类似，只不过 MOS管是压控压型（电压控制），而三极管是流控流型（电流控制）。 至于MOS管的使用，N型与P型存在区别，对于应用，我们只需要知道： 1、对于N型MOS管，若G、S之间为高（电压方向G指向S，具体电平看具体MOS管 ），D、S（电压方向D指向S）之间就会导通，此时D、S间相当于一个很小的电阻[详细]
为什么电子元器件产品会遭遇静电破坏？电子元器件按其种类不同，受静电破坏的程du度也不一样，最低的zhi100V的静电压也会对dao其造成破坏。近年来随着电子元器件发展趋于集成化，因此要求相应的静电电压也在不断降低。人体所感应的静电电压一般在2-4KV以上，通常是由于人体的轻微动作或与绝缘物的磨擦而引起的。[详细]
怎样区分场效应管与IGBT管，在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？下面我们就来了解一下，怎样区分场效应管与IGBT管吧！什么是MOS管？ 怎样区分场效应管与IGBT管。场效应管主要有两种[详细]
MOSFET驱动电路为了帮助MOSFET最大化导通和关断时间，需要驱动电路。如果MOSFET需要相对较长的时间进出导通，那么我们就无法利用MOSFET的优势。这将导致MOSFET发热，器件将无法正常工作。MOSFET驱动器通常可以使用自举电路来产生电压，以将栅极驱动到比MOSFET电源电压更高的电压。实际上，MOSFET的栅极像驱动器[详细]
PN结是什么？PN结采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 二极管为什么只能[详细]
交流电源交流电源是现代词，是一个专有名词，指的是插头与插座指用来接上用来将市电提供的交流电，使家用电器与可携式小型设备通电可使用的装置。基于一种交流电源的LED照明电路设计 当前全球能源短缺 的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，led发光 产品的应用正吸引着世人[详细]
LED电源的工程师经常提及“恒流”驱动，其实，在很多电子设备中，有许多用电设备要求供给的电流(而不是电压)保持恒定。一般把这种能够向负载提供恒定电流的电源称为恒流源。所谓恒流，是一种习惯说法，并不是电流值绝对不变，只是这种变化相对的小而已，在一个规定的工作范围内保持足够的稳定性。 基本的恒流源[详细]
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个[详细]
目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器（inverter），但最近开发的碳化硅MOSFET元件，为这个领域另外开闢出全新的可能性。主要的技术关键推手和应用限制 以反相器为基础的传动应用，最常见的拓扑就是以6个电源开关连接3个半桥接电桥臂。每一个半桥接电桥臂，都是以欧姆电感性负载（马达）上的硬开关换[详细]
V-FET或功率场效应管（MOS管）知识 功率MOS管通常采用V型配置，如图所示。这就是为什么该元器件有时被称为V-MOS管或V-FET。 功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压[详细]
功率MOSFET功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。今天本文主要是剖析功率MOSFET，将从十几个方面进行总结与解析。[详细]
三极管的工作原理及特性 三极管之所以运用如此广泛，其主要原因在于它可以通过小电流控制大电流。形象地说就是基极其是是一个阀门开关，阀门开关控制的是集电极到发射极之间的电流大小，而本身控制阀门开关的基极的电流要求很小。更加形象的图形说明如下所示： 三极管的结构与符号 三极管内部机构要求：（此处[详细]
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