开关MOS寄生二极管的多种妙用详细解析
寄生二极管作用
当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管。（起到保护MOS管的作用）
沟槽Trench型N沟道增强型功率MOSFET的结构如下图所示，在N-epi外延层上扩散形成P基区，然后通过刻蚀技术形成深度超过P基区的沟槽，在沟槽壁上热氧化生成栅氧化层，再用多晶硅填充沟槽，利用自对准工艺形成N+源区，背面的N+substrate为漏区，在栅极加上一定正电压后，沟槽壁侧的P基区反型，形成垂直沟道。
由下图中的结构可以看到，P基区和N-epi形成了一个PN结，即MOSFET的寄生体二极管。
MOSFET剖面结构
体二极管主要参数
二极管特性测试电路
二极管恢复曲线
MOSFET体二极管反向恢复过程波形
MOSFET体二极管应用场合
1、全桥逆变电路
2、三相桥电路
3、LLC半桥谐振电路ZVS
4、移相全桥PSFB ZVS
5、HID照明（ZVS）
MOSFET体二极管应用分析
1、MOSFET体二极管反向恢复
2、LLC半桥谐振变换器
3、LLC电压增益
4、LLC变换器 ZVS状态下模态切换
LLC变换器工作波形
LLC启动过程 - 二极管反向恢复
HID照明电源（带载切换成开路）
