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引言随着汽油成本上升以及人们对汽车尾气排放带来的环境问题的日益关注，汽车工业正在加快研究开发油耗更低、功率密度更高、鲁棒性更强的新型动力传动系统。汽车点火系统作为动力传动系统的重要组成部分，对系统效率、减少尾气污染和鲁棒性有着重要的作用。早期汽车点火器中线圈的初级绕组是由机械开关控制，通[详细]
碳化硅mosfet 本文主要讲硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别。我们先来看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。 碳化硅mosfet驱动与硅IGBT的区别硅IGBT与[详细]
碳化硅igbt的优势是什么？什么是碳化硅？碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或[详细]
怎样区分场效应管与IGBT管，在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？下面我们就来了解一下，怎样区分场效应管与IGBT管吧！什么是MOS管？ 怎样区分场效应管与IGBT管。场效应管主要有两种[详细]
mos管的特点 mos管的特点是什么？MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信[详细]
MOS管、三极管、IGBT之间的因果关系 区别与联系最全解析 大家都知道MOS管、三极管、IGBT的标准定义，但是很少有人详细地、系统地从这句话抽丝剥茧，一层一层地分析为什么定义里说IGBT是由BJT和MOS组成的，它们之间有什么区别和联系，在应用的时候，什么时候能选择IGBT、什么时候选择BJT、什么时候又选择M[详细]
（一）IGBT IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。 IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。 IGBT是电压控制电流，可是说是集成块[详细]
华大半导体最新发布国内首款车规级隔离型IGBT栅极驱动芯片，填补了国内隔离型栅极驱动芯片的空白。本产品采用磁隔离技术，具备更低的延迟，更低功耗和更高可靠性，适用于新能源车电驱、电力输配电、光伏发电、大型电机控制等领域的IGBT驱动。目前该产品已经通过电驱动公司和一些新能源车公司的测试。产品主要性[详细]
中国，2019年3月22日 — 意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER?IGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能，提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。新IH系列器件属于意法半导体针对软开关应用专门优化的沟栅式场截止(TFS) IGBT产品家族，适[详细]
需要首先了解IGBT或IGBT模块的寄生电容参数： IGBT寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性，芯片结构及简单的原理图如下图所示。输入电容Cies及反馈电容Cres是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容Coss限制开关转换过程的dv/dt，Coss造成的损耗一般可以被忽略。 其中：Cies = CGE + CGC：输入电容（输出短路[详细]
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