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最热知识

2017-12IGBT热敏电阻的温度测量方法

　　igbt热敏电阻的运行原理是建立在诸多因素的基础上的。在电子生产当中常用NTC温度传感器测量igbt热敏电阻的温度。那么对于这种电阻来说，其温度测量方法是怎样的呢？　　在igbt热敏电阻变流器装置中，最关键的参数之一是igbt热敏电阻的温度。直接测量的办法是[详细]

2017-09IGBT的吸收电容过热有哪些原因

IGBT的吸收电容过热原因有几方面构成呢?接下来颖特新科技为大家揭晓。1、此电容是吸收过冲能量的一个电容，要求是低损耗、高频性能好，而且要允许通过大的脉动电流;2、此电容选料要用聚碳酸树脂或者CBB料;3、制作工艺一定要用无感办法，不能用卷绕制造方法;4、喷金工艺不好也是发热的一个因素;5、引出线应该用紫[详细]

2017-09IGBT元件的构造与特征

IGBT的构造和功率MOSFET的对比如图 1-1 所示。IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p+层而构成的，从而具有以下种种特征。 (1) MOSFET的基本结构(2) IGBT的基本结构图 1-1 功率MOSFET 与IGBT 的构造比较1.1 电压控制型元件 IGBT 的理想等效电路，正如图 1-2 所示，是对pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达[详细]

2017-09Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器

Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块上，容量从0.047μF到10μF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～8[详细]

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