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基于ARM? Cortex?-M3的STM32 F2系列单片机采用意法半导体先进的90 nm NVM制程制造而成，具有创新型自适应实时存储器加速器（ART加速器?）和多层总线矩阵， 实现了前所未有的高性价比。该系列MCU具有集成度高的特点：整合了1MB Flash存储器、128KB SRAM、以太网MAC、USB 2.0 HS OTG、照相机接口、[详细]
STM32 F3系列单片机具有运行于72 MHz的32位ARM? Cortex?-M4内核（带有FPU和DSP指令）并集成多种模拟外设，从而降低应用成本并简化应用设计，它包括：? 超快速比较器（25 ns）? 具有可编程增益的运算放大器? 12位DAC? 超快速12位ADC，单通道每秒5 M次采[详细]
得益于意法半导体的ART Accelerator? 加速器以及一级高速缓存【L1 CACHE】，不论是从内部闪存还是外部存储器执行程序，STM32F7微控制器均能释放Cortex-M7内核的最高性能理论值: 在216 MHz fCPU主频时，性能测试取得1082 CoreMark /462 DMIPS的成绩。富有更多新外设的智能系统架构STM32F7系列充分释放Cort[详细]
利用L1缓存，STM32H7 32位单片机实现了Cortex-M7内核的最高理论性能——无论是从嵌入式闪存还是外部存储器来执行代码：400 MHz 处理器频率下性能可达到 2010 CoreMark /856 DMIPS。STM32H7系列32位MCU采用Cortex-M7内核，具有新一代外设集的智能架构? 面向内核、外设和存储器互连的AXI总线和多AHB总线矩阵[详细]
STM32 L0 MCU的每个部分都通过优化达到了卓越的低功耗水平。由此产生了功耗性能破纪录的真正超低功耗MCU。ARM? Cortex?-M0+内核与STM32单片机超低功耗特性的独有结合，使STM32 L0 MCU非常适合电池供电或供电来自能量收集的应用。STM32 L0微控制器提供了动态电压调节、超低功耗时钟振荡器、LCD接口、比较[详细]
锂离子电池根据应用场景可分为「动力」、「消费」和「工业与储能」三种，尽管传统使用锂离子电池电子产品成长趋缓，如手机、笔记本电脑、数码产品等，近年来出现的多种新型产业增加了对锂离子电池的需求，如：电动工具、VR眼镜、无人机与可穿戴设备等，锂离子电池未来的重点应用将集中在电动工具、轻型电动车、[详细]
MCU是产品的核心，可以做单片机的厂家都很牛逼，芯唐电子作为台产MCU的龙头老大，自然也收到分销渠道的关注，这也是本公司将新唐的单片机作为本公司的核心业务来做的原因。也有不少同行过来问，颖特新是怎么拿到代理的啊？新唐芯片代理有哪些要求？要求还真不少，具体的你可以去找芯唐原厂的人去谈，大概的可以[详细]
单片机的特殊功能寄存器SFR，是SRAM地址已经确定的SRAM单元，在C语言环境下对其访问归纳起来有两种方法。1、采用标准C的强制类型转换和指针来实现采用标准C的强制转换和指针的概念来实现访问MCU的寄存器，例如:#define DDRB (*(volatile unsigned char *)0x25)分析如下：A：(unsigned char *)0x25中的0x25[详细]
大家知道，大家用MCU写程序的时候，只有移位的语句，没有循环移位的语句。那么如何实现循环移位呢，详见下述： 循环移位区别于一般移位的是移位时没有数位的丢失。循环左移时，用从左边移出的位填充字的右端，而循环右移时，用从右边移出的位填充字的左侧。这种情况在系统程序中时有使用，在一些控制程[详细]
程序 :/*** 读IO, 用按钮控制点灯.*/#include #include // 10个LEDsbit P10 = P1^0;sbit P11 = P1^1;sbit P12 = P1^2;sbit P13 = P1^3;sbit P14 = P1^4;sbit P15 = P1^5;sbit P16 = P1^6;sbit P17 = P1^7;// 定义开关. 低电平有效.sbit K1 = P3^2;sbit K2 = P3^5;void main( void ){while([详细]
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