ST推出功能丰富的电气隔离栅极驱动器，为碳化硅或硅功率晶体管提供更好控制和保护
- 有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力 中国，2018年8月3日—— 意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能，可用于各种开关拓扑控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。 STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚，为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在MOSFET关断状态时，该引脚可将所连MOSFET的栅电压限制在隔离接地电压，直到下一个真正的导通信号出现为止。 STGAP2SM具有独立的导通/关断输出，可配合两个外部栅极电阻来优化晶体管开关性能。
STGAP2S栅极驱动器全系标配4A轨到轨输出，即使驱动大功率逆变器，也能保证开关操作快速、高效。输入到输出传播延迟在80ns以内，在高开关频率下确保PWM控制精确，满足SiC器件的驱动要求。出色的抗dV / dt共模瞬变干扰能力，使其能够防止耗能的杂散开关操作。 这些器件内置1700V电气隔离功能，可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）控制器的物料成本。 这些产品集成全面的保护功能，其中，欠压锁定（UVLO）可在电源电压过低时保护电源开关。此外，过热保护和硬件互锁可以防止半桥电路中的高边/低边交叉导通；待机模式可在节省电源的同时将输出保持在安全状态。 EVALSTGAP2SCM评估板提供了一个快速、简便的开发方法，方便设计人员快速开始设计。 STGAP2SCM现已上市，STGAP2SM于2018年第四季度上市，采用紧凑型工业标准SO-8功率封装。 相关新闻 意法半导体高功率电子熔断器集成增值保护功能，提高安全性和可靠性 意法半导体(ST)完整全桥系统封装内置MOSFET、栅驱动器和保护技术以节省空间，简化设计，精简组装 意法半导体600V超结功率模块引入新封装和新功能，简化电机驱动电路设计
编辑：admin 最后修改时间：2019-01-03
