意法半导体快速恢复的超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来卓越性能
中国,2019年1月22日 - 意法半导体的MDmesh DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。 MDmesh DM6 MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr),最大限度地降低续流后关断期间二极管的耗散功率。优化的恢复软度增强了产品可靠性。此外,极低的栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS(ON))以及针对轻负载优化的电容曲线,使应用能够实现更高的工作频率和更高的能效,简化热管理设计并降低EMI干扰。
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编辑:admin 最后修改时间:2019-01-23