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ST-ONE电源控制器结合ST的 MasterGaN 技术，打造有能量回收功能、空前节能的笔记本电脑/智能手机充电器设计。意法半导体推出新款 ST-ONE 电源芯片，通过其新一代的创新技术，提升个人计算产品的可持续性。这款新芯片将提高各种AC-DC适配器的能效，完全符合USB-PD 3.1标准，包括笔记本电脑和智能手机充电器。采用[详细]
BPF8089-01SC6是一种集成射频前端，其输入阻抗匹配电路位于STA8089和STA8090低噪声放大器输入端和天线之间，用于全球导航卫星系统(GNSS)接收机。该器件嵌入了与ESD保护相关的匹配网络，以便根据EOS和ESD标准保护STA8089和STA8090 LNA输入。作为ASIP(专用集成无源)系列产品的组成部分，采用SOT23-6L封装，可与自[详细]
意法半导体是无线充电解决方案的领先供应商之一 ，从一开始便为全球领先的智能手机制造商提供无线充接收器，拥有独特的BCD工艺，是无线充电联盟（WPC）的主要成员之一，拥有行业首创及领先的创新型无线充电解决方案； ST 70W+无线充电接收器随技术的发展，无线充电技术得到快速普及，意法半导体的STWLC98高[详细]
2022 年 7 月 4 日，中国 ——意法半导体扩大 NanoEdge AI Studio机器学习设计软件的支持设备范围，新增包含意法半导体嵌入式智能传感器处理单元 (ISPU) 的智能传感器。新版扩展了这一独步市场的机器学习工具的功能性，让AI人工智能模型能够直接在设备上学习，在智能传感器上发现异常事件。现在，设计人员可以用[详细]
以高能效的同步变换拓扑为特性，意法半导体同步降压DC/DC变换器STPD01具有数字编程功能，适合最大功率60W的USB Power Delivery (PD)供电应用。STPD01的输入电压范围是6V 至 26.4V，宽压输入让客户能够灵活地开发交流多端口电源适配器、USB 集线器、PC 显示器和智能电视。输出电压值可通过I2C接口设置，调压范围[详细]
意法半导体 ISOSD61和ISOSD61L是高精度隔离式二阶sigma-delta调制器，可提高电机控制、电动汽车充电站、太阳能逆变器、UPS电源以及服务器和电信电源等工业应用的性能和可靠性。 ISOSD61具有TTL/CMOS兼容的时钟输入和数据输出信号电平，而ISOSD61L则兼容低压差分信号(LVDS)。两款产品的模数转换(ADC)分辨率[详细]
2022年7月1日，中国 —— 意法半导体 TSB622 通用低功耗双算放大器(运放)增强在工业和汽车应用中的鲁棒性和灵活性。TSB622的单位增益稳定，工作温度范围扩至 -40°C 至 125°C，取得了车规级认证，支持2.7V 至 36V 的宽电源电压，设计人员可以用同一器件设计有不同电压域的多种应用，轨到轨输出最大限度地提高动[详细]
意法半导体（STMicroelectronics）推出带有集成DC/DC转换器的ALED6000单芯片汽车LED驱动器。这种驱动器是一种低成本解决方案，可实现设计灵活性并在车辆内部电气条件波动时保持照明强度一致。ALED6000还适用于外部照明，例如日间行车灯、前灯、尾灯、刹车灯和转向信号灯以及内部照明，可支持高达3A的电流驱动单[详细]
据电子时报，消息人士透露，Global Foundries 与意法半导体 (STM) 考虑在法国政府补助下，合作兴建一座半导体晶圆厂，以协助达成欧盟执行委员会 (EC) 到 2030 年将该地区芯片生产。今年 2 月，欧盟公布了备受关注的《芯片法案》，计划向新一代芯片工厂投资 430 亿欧元（约合 490 亿美元），以提升欧盟在全球的芯[详细]
STNRG012是适合90W-300W 功率转换器的理想控制器，符合最严格的节能要求。该控制器采用专利型逻辑，即使在低负载条件下也能确保非常高的PF和一流的THD。能够在交流和直流电压输入之间即时转换，非常适合采用电池组备用电源的LED照明应用。STNRG012提供各种功能块的复杂控制，以确保所有负载间的高效转换和高度可[详细]
新推出的SMB15F系列1,500 W瞬态电压抑制二极管（采用SMB Flat封装）已经通过认证。与SMC封装相比，SMB Flat封装的体积减少了50%。除了空间方面的改进，价格更有优势，为企业节约了预算。此外，更小的尺寸有利于提高功率密度和提高效率。事实上，SMB15F系列的泄漏电流比竞争产品大约低五倍。因此，这些1500 W器件[详细]
公司经常会忽视工业应用小型化、密集化的趋势。随着消费者产品的功能日益丰富，工业控制系统自然也不能例外。因此，意法半导体推出了CLT03-1SC3和CLT03-2Q3。这两款用于数字输入的限流器可大大减少散热。它们也兼容低电压输出等不需要光电耦合器的应用，期间无需使用额外的组件，即可轻松构建更具成本效益的工厂[详细]
5月13日，意法半导体和MACOM宣布宣布成功生产射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)主导了早期射频功率放大器(PA)。对于这些射频功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射频特性和显着更高的输出功率。此外，[详细]
据麦姆斯咨询报道，全球半导体领导者意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）近日推出了带有智能传感器处理单元（intelligent sensor processing unit，ISPU）的新型MEMS惯性传感器：ISM330ISN，为在线生活（“onlife”）时代赋能：与训练有素的智能设备交互，将智能从“在边缘上（[详细]
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体最新的电隔离技术，采用SO-36W 宽体封装，能够耐受6kV瞬变电压。此外，±100V/ns dv/dt 瞬变耐量可防止在高电噪声工[详细]
意法半导体发布了IPS1025H和IPS1025H-32单通道可编程高边开关。这两款开关内置欠压保护、过压保护、过载保护、过热保护功能，能够智能驱动高启动电流的容性负责、阻性负责或感性负载。IPS1025H和IPS1025H-32的不同之处在于内部可编程限流大小。IPS1025H的限流值是2.5A，而 IPS1025H-32则限流5.7A。除了主限流之[详细]
意法半导体推出了内置智能传感器处理单元 (ISPU) 的新惯性传感器，推动onlife （一直在线）生活时代的到来，人们与经过训练的智能设备互动，智能技术从网络边缘移向深度边缘设备。ISM330ISN常开 (always-on) 6 轴惯性测量单元 (IMU)传感器内部嵌入智能技术，就尺寸和功耗而言，其测量性能和精准度堪称业界一流。[详细]
为了便于向高效宽带隙技术的过渡，意法半导体发布了分别适用于高达 45W 和 150W 的应用的 MasterGaN3 和 MasterGaN5 集成功率封装。加入面向 65W 至 400W 应用的 MasterGaN1、MasterGaN2 和 MasterGaN4，这些新增产品为设计开关电源、充电器、适配器、高压功率因数校正时选择最佳 GaN 器件和驱动器解决方案提供[详细]
TCPP02-M18保护供电模式下的USB Type-C端口，防止VBUS引脚上的过电流和通信通道（CC线路）上的过电压（最高24 V）。它是运行在STM32 MCU上的USB-C平台的配套芯片，包括微控制器可访问的电流检测机制，以实现更出色的应用控制。TCPP02-M18是Type-C端口保护（TCPP），面向源端（供电）的器件，不像TCPP01-M12保护[详细]
意法半导体的MasterGaN4功率封装集成了两个具有225mΩRDS（on）的对称650V GaN功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护，可简化高达200W的高效功率转换应用的设计。意法半导体的MasterGaN系列的最新成员，MasterGaN4消除了复杂的栅极控制和电路布局挑战，从而简化了使用宽带隙GaN功率半导体的设计。通过输入[详细]
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