东芝NAND闪存：TC58BVG0S3HBAI4
TC58BVG0S3HBAI4
TC58BVG0S3HBAI4是一个单一的3.3V1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该设备具有一个2112字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：2112字节×64页)。
TC58BVG0S3HBA4是一种串行式存储器装置，它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作将自动全部Y执行使得该设备最适合于应用,例如固态文件存储、语音记录、用于静止照相机的图像文件存储器以及需要高密度非VO的其它系统。
芯片上的 TC58 BVG0S 3HBAI4 具有 ECC 逻辑，每 528 字节的 8 位读取错误可以在内部校正。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-05
