东芝NAND闪存：TC58BVG0S3HBAI6
TC58BVG0S3HBAI6
TC58BVG0S3HBAI6 是一个单一的 3.3V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) 组织为 (2048 ，64)字节× 64 页× 1024 块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。
TC58BVG0S3HBA6是一种串行式存储器装置，它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作将自动全部Y执行使得该设备最适合于应用,例如固态文件存储、语音记录、用于静止照相机的图像文件存储器以及需要高密度非VO的其它系统,
TC58BVG0S3HBAI6芯片上有ECC逻辑，每528位字节都可以内部更正。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-04
