东芝NAND闪存：TC58BVG0S3HTA00
TC58BVG0S3HTA00
TC58BVG0S3HTA00是一个单一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。
TC58BVG0S3HTA00是一种串行型存储设备，它使用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作，使设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、静止相机图像文件存储器等应用。以及其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
芯片上的 TC58 BVG0S 3HTA00 具有 ECC 逻辑，每 528 字节的 8 位读取错误可以在内部校正。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-05
