东芝NAND闪存：TC58BVG1S3HBAI4
TC58BVG1S3HBAI4
TC58BVG1S3HBA4是一个3.3V2Gbit(2,214,592,512位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+64)字节或64页或2048块。该设备具有2112字节的静态寄存器,其允许程序和读取数据以2112字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传送,擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。
TC58BVG1S3HBa4是一种串行式存储器装置，它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和编程操作,使得该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、用于静态照相机的图像文件存储器其它需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
TC58BVG1S3HBA4在芯片上有ECC逻辑，每个528字节的8位读取错误可在内部进行校正
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-05
