东芝NAND闪存：TC58BVG1S3HTAI0
TC58BVG1S3HTAI0
TC58BVG1S3HTAI0是一个单独的3.3V2Gbit(2，214，592，512位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×2048块。该设备具有一个2112字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(128 K字节、4K字节：2112字节×64页)。
TC58 BVG1S 3HTAI0 是一种串行类型的存储器设备，它利用 I/O引脚进行地址和数据输入/ 输出以及命令输入。自动执行擦除和编程操作,使得该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、用于静态照相机的图像文件存储器其它需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
TC58BVG1S3HTA0在芯片上具有ECC逻辑，并且可以在内部校正每个528字节的8位读取错误。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-05
