东芝NAND闪存：TC58BYG0S3HBAI4
TC58BYG0S3HBAI4
TC58 BYG0S 3HBAI4 是一个单一的 1.8V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) ，组织为 (2048 ，64)字节× 64 页× 1024 块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。
TC58BYG0S3HBAI4是一种串行型存储设备，它使用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作，使设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、静止相机图像文件存储器等应用。
TC58BYG0S3HBA4在芯片上具有ECC逻辑，并且可以在内部校正每个528字节的8位读取错误。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-05
