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东芝NAND闪存:TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

关键字:东芝闪存 toshiba存储 NAND闪存 作者: 来源: 发布时间:2019-09-04  浏览:1

 TC58 BYG0S 3HBAI4 是一个单一的 1.8V 1Gbit(1,107 ,296 ,256 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) ,组织为 (2048 ,64)字节× 64 页× 1024 块。该装置具有2112字节静态寄存器,允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB:2112字节/64页)中实现。

TC58BYG0S3HBAI4是一种串行型存储设备,它使用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作,使设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、静止相机图像文件存储器等应用。

TC58BYG0S3HBA4在芯片上具有ECC逻辑,并且可以在内部校正每个528字节的8位读取错误。

编辑:admin  最后修改时间:2019-09-05

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