东芝NAND闪存：TC58BYG2S0HBAI6
TC58BYG2S0HBAI6
TC58BYG2S0HBAI6是一个1.8V 4Gbit(4，429，185，024位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。
TC58BYG2S0HBAI6是一种串行式存储器装置，它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和编程操作,使得该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、用于静态照相机的图像文件存储器其它需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
TC58BYG2S0HBAI6芯片上有ECC逻辑，每528位字节的8位读取错误可以内部纠正。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-05
