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东芝NAND闪存:TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6

关键字: 东芝闪存 toshiba存储 NAND闪存 作者: 来源: 发布时间:2019-09-04 浏览:7

TC58NYG0S3HBA6是一个1.8V1Gbit(1,140,850,688位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM),其组织为(2048+128)字节或64页或1024个块。该设备具有2176字节的静态寄存器,其允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(128千字节,8千字节:2176字节×64页)。

TC58NYG0S3HBA6是一种串行式存储器装置,它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作,使该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、静止相机图像文件存储器等应用。以及其他需要高密度、非易失性存储器数据存储的系统。

编辑:admin 最后修改时间:2019-09-06

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