东芝NAND闪存：TC58NYG0S3HBAI6
TC58NYG0S3HBAI6
TC58NYG0S3HBA6是一个1.8V1Gbit(1,140,850,688位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+128)字节或64页或1024个块。该设备具有2176字节的静态寄存器，其允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(128千字节，8千字节：2176字节×64页)。
TC58NYG0S3HBA6是一种串行式存储器装置，它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作，使该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、静止相机图像文件存储器等应用。以及其他需要高密度、非易失性存储器数据存储的系统。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-06
