东芝NAND闪存：TC58NYG2S0HBAI6
TC58NYG2S0HBAI6
TC58NYG2S0HBAI6是一个1.8V 4 Gbit(4，563，402，752位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×2048块。该设备具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：4352字节×64页)。
TC58NYG2S0HBAI6是一种串行型存储设备，它使用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作，使该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、静止相机图像文件存储器等应用。以及其他需要高密度、非易失性存储器数据存储的系统。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-06
