东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HBAI4
TH58BVG3S0HBAI4
TH58BVG3S0HBAI4是一个单一的3.3V 8 Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有4224字节静态寄存器，允许程序和读取数据以4224字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。
TH58BVG3S0HBaI4是一种串行式存储器装置，它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作，使设备最适合应用程序，如固态文件存储，语音记录，图像文件存储器的静止相机 a 。其它需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
芯片上的 TH58 BVG3S 0HBAI4 具有 ECC 逻辑，每 528 字节的 8 位读取错误可以在内部校正。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-06
