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东芝NAND闪存:TH58BVG3S0HBAI4

TH58BVG3S0HBAI4

关键字: 东芝闪存 toshiba存储 NAND闪存 作者: 来源: 发布时间:2019-09-03 浏览:1

TH58BVG3S0HBAI4是一个单一的3.3V 8 Gbit(8,858,370,048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM),组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有4224字节静态寄存器,允许程序和读取数据以4224字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节,8千字节:4224字节×64页)。

TH58BVG3S0HBaI4是一种串行式存储器装置,它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作,使设备最适合应用程序,如固态文件存储,语音记录,图像文件存储器的静止相机 a 。其它需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。

芯片上的 TH58 BVG3S 0HBAI4 具有 ECC 逻辑,每 528 字节的 8 位读取错误可以在内部校正。

编辑:admin 最后修改时间:2019-09-06

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